[2017年整理]场效应管的原理和基础知识.docxVIP

场效应管的原理和基础知识? (2007-12-25 17:29) 基本概念 场效应管是一种受电场控制的半导体器件(普通三极管的工作是受电流控制的器件).场效应管应具有高输入阻抗,较好的热稳定性、抗辐射性和较低的噪声.对夹断电压适中的场效应管,可以找到一个几乎不受温度影响的零温度系数工作点,利用这一特性,可使电路的温度稳定性达到最佳状态.电子电路中常用场效应管作放大电路的缓冲级、模拟开关和恒流源电路. 场效应管按结构可分为结型场效应管(缩写为JFET)和绝缘栅场效应管(缩写为JGFET),从导电方式看,场效应管分为N型沟道型与P型沟道型.绝缘栅型场效应管有增强型和耗尽型两种,而JFET只有耗尽型. 一、基本结构 场效应管是利用改变电场来控制半导体材料的导电特性,不是像三极管那样用电流控制PN结的电流.因此,场效应管可以工作在极高的频率和较大的功率.此外,场效应管的制作工艺简单,是集成电路的基本单元. 场效应管有结型和绝缘栅型两种主要类型.每种类型的场效应管都有栅极g、源极s和漏极d三个工作电极,同时,每种类型的场效应管都有N沟道和P沟道两种导电结构. 绝缘栅型场效应管又叫做MOS管.根据在外加电压Vgs=0时是否存在导电沟道,绝缘栅场效应管又可分为上增强型和耗尽型.增强型MOS管在外加电压Vgs=0时不存在导电沟道,而耗尽型MOS的氧化绝缘层中加入了大量的正离子,即使在Vgs=0时也