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微电子工艺基础总结课 第1章 绪论 1、分立器件和集成电路的区别2、平面工艺的特点3、微电子工艺的特点4、芯片制造的四个阶段  一、微电子产业 1、微电子产业在国民经济中的作用* 2、半导体工业的诞生* 3、分立器件、集成电路*** 4、微电子工艺的发展**** 5、微电子产业的分类*** 3、分立器件、集成电路 分立器件：每个芯片只含有一个器件。 集成电路：每个芯片含有多个元件。 按集成成度分： 水平 缩写 单位芯片内的器件数 小规模集成电路 SSI 2－50 中规模集成电路 MSI 50－5000 大规模集成电路 LSI 5000－100000 超大规模集成电路 VLSI 100000－1000000 特大规模集成电路 ULSI ＞1000000 （1）平面工艺的诞生 平面工艺是由Hoerni于1960年提出的。在这项技术中，整个半导体表面先形成一层氧化层，再借助平板印刷技术，通过刻蚀去除部分氧化层，从而形成一个窗口。 ①合金结方法： ②生长结方法：半导体单晶是由掺有某种杂质（例如P型）的半导体熔液中生长出来的。 ③扩散结和平面工艺***** 平面工艺： 利用二氧化硅掩蔽膜，通过光刻出窗口控制几何图形进行选择性扩散形成pn结 平面工艺的优点： 兼有固态扩散形成结和利用二氧化硅掩膜精确控制器件几何图形这两方面的优点。 ③扩散结和平面工艺***** ②芯片和晶圆尺寸的增大 几个概念： 晶圆（wafer） 器件、芯片（die） 街区、锯切线 晶圆的切面（主切面、副切面） （4）微电子工艺的特点 高技术含量 设备先进、技术先进 高精度 光刻图形的最小线条尺寸在亚微米量级， 制备的介质薄膜厚度也在纳米量级，而 精度更在上述尺度之上。 超纯 指工艺材料方面，如衬底材料Si、Ge单晶 纯度达11个9。 超净 环境、操作者、工艺三个方面的超净，如 VLSI在100级超净室、10级超净台中制作 大批量、低成本 图形转移技术使之得以实现 高温 多数关键工艺是在高温下实现， 如：热氧化、扩散、退火 二、芯片制造/生产的几个阶段 固态器件的制造分为4个大的阶段（粗线条）： 材料制备 晶体生长/晶圆准备 晶圆制造、芯片生成 （本课程侧重点） 封装 第一章作业题 1、描述分立器件和集成电路的区别 2、列举出几种pn结的形成方法并说出平面工艺的特点 3、制造半导体器件的四个阶段 4、解释集成度的概念并根据集成度将集成电路分类 5、微电子工艺的特点 6、说明工艺及产品趋势 第2章 半导体材料和晶圆制备 1、掺杂半导体的两种特性 2、三种主要的半导体材料及其优缺点 3、N型和P型半导体材料在组成＆电性能方面的不同 4、多晶和单晶的不同 5、两种重要的晶圆晶向示意图 6、常见晶体生长的方法 7、晶圆制备的工艺流程 一、半导体材料 1、*本征半导体：处于纯净的状态而不是掺杂了其他物质的半导体。 有两类本征半导体： 半导体元素 硅和锗 化合物材料 砷化镓和磷化镓 2、**掺杂半导体：（1）掺杂半导体的来源 （2）掺杂半导体和金属导电的区别 （3）载流子的迁移率 3、***半导体材料： （1）硅和锗（两种重要的半导体） （2）砷化镓 （3）硅作为电子材料的优势 二、晶圆制备 1、*结晶学和晶体结构 （1）概述 （2）晶体缺陷：半导体器件需要高度完美的晶体，但是，即使使用了最成熟的技术