第三章晶体缺陷-3.3课题.pptVIP

第三章　晶体缺陷 李怀勇 聊城大学材料科学与工程学院 本章章节结构 3.1　点缺陷 3.2　位错 3.3　表面及界面 与表面有关的科学问题 晶体表面原子状态与内部有什么区别？ 表面层的活性比内部高吗？ 　表面能直接影响着稳定性和反应活性。 　表面能有减小的趋势。 在纳米材料制备过程中，表面能的调控直接影响纳米材料的生长情况和形貌。 纳米材料生长过程中的表面问题 表面活性剂与自组装 3.3 表面及界面(面缺陷) 表界面包括外表面（自由表面）和内界面 表面是指固体材料与气体或液体的分界面，它与摩擦、磨损、氧化、腐蚀、偏析、催化、吸附现象等均密切相关； 内界面可分为晶粒边界和晶内的亚晶界、孪晶界、层错及相界面等。  3.3.1 外表面 表面的特点 原子部分被包围，相邻原子少，畸变 成分偏聚和表面吸附，成分有变化 造成表层的点阵畸变，使它们的能量比内部原子高，这几层高能量的原子层称为表面。 表面能 表面能(J/m2)：晶体表面单位面积自由能的增加。 可以理解为产生单位新表面所作的功。 也可以用单位长度上的表面张力(N/m)表示 表面是一个原子排列的终止面，有一侧无固体中原子的键合。故其表面能可用形成单位新表面所割断的结合键数来近似表达。 自由晶体暴露在外的表面主要是低表面能的原子密排晶面。 晶面的能量越高，垂直该面的生长速度越快。 原子密排面具有最小的表面能。 面心立方中{100}面上每个原子的面键数 面心立方中{110}面上每个原子的面键数 面心立方中{111}面上每个原子的面键数 {100}面 每个原子被割4个键 面间距和面密度 {110}面 每个原子被割4个键 面间距和面密度？ {111}面 1个原子合3个键 面间距和面密度？ 三个面比较 为了保持低的能量，外表面一般呈台阶状。 表面能还与曲率有关。 分析 体O原子的配位数为4； 对于{100}面来说，面内的是2，边上是1，顶点为1/2。 所以有 导致面上存在浓度梯度。 内界面 根据界面两侧固相的组成和结构差异，可将界面分为三类： 晶界（及亚晶界） 孪晶界 相界 3.3.2 晶界和亚晶界 属于同一物相但位向不同的晶粒之间的界面称为晶界； 每个晶粒有时又由若干个位向稍有差异的亚晶粒所组成，相邻亚晶粒间的界面称为亚晶界。 分类 描述界面的5个参数： 三个描述一晶格相对于另一晶格的位向关系 二个描述晶界（交界）的位置 根据相邻晶粒之间位向差的大小不同可将晶界分为两类： 小角度晶界：位向差小于10o； 其中亚晶界：属小角度晶界，一般小于2o。 大角度晶界：相邻晶粒的位向差大于10o，多晶体中90％以上的晶界属于此类。 1. 小角度晶界的结构 相邻亚晶粒之间位向差的型式不同，可将小角度晶界分为倾斜晶界、扭转晶界 (1) 对称倾斜晶界 由一列平行的刃型位错构成。 (2) 不对称倾斜晶界 绕晶格的交线转动? ，则位向差仍为θ； 它有两个自由度θ 和? ； 此时晶界的界面对于两个晶粒不对称； 该晶界结构可看成由两组伯氏矢量相互垂直的刃位错b┻，b├交错排列而构成。 (3) 扭转晶界 属于小角度晶界； 它可看成是两部分晶体绕某一轴在一个共同的晶面上相对扭转一个 ?角所构成的，扭转轴垂直于这一共同的晶面； 只有一个自由度 ?； 两组相互垂直的螺位错组成。 比较 纯扭转晶界和倾斜晶界均是小角度晶界； 倾斜，转轴在晶界内 扭转，转轴垂直晶界 一般情况下的小角度晶界，可看成是以上两种混合而成，看作是由一系列刃位错、螺位错或混合位错的网络所构成。 2. 大角度晶界的结构 大角度晶界的结构特点 多晶体材料中各晶粒之间的晶界通常为大角度晶界。 结构较复杂，不规则，不能用位错模型来描述。 晶界可看成坏区与好区交替相间组合而成。随着位向差的增大，坏区的面积将相应增加。 重合位置点阵模型 特殊角度形成的大点阵常数的点阵 晶界上重合位置越多，则畸变越小，能量越低 3. 晶界能 晶界能定义为形成单位面积界面时，系统的自由能变化（dF/dA ） ＝界面区单位面积的能量－无界面时该区单位面积的能量 小角度晶界的晶界能（Read-Shockley公式) 主要来自位错能量，而位错密度又决定于晶粒间的位向差，所以，小角度晶界能也和位向差有关： 大角度晶界的晶界能 原子排列混乱，界面原子键合受到很大的破坏，具有高的化学键能，并且不随位向差改变，为一水平线； 但是一些特殊位向的大角晶界，由于能够形成重合位置的点阵，界面上有高密度的重合位置原子，因而使界面能有所下降。 三叉晶界 3个界面相交于一个三叉界棱。在达到平衡状态时，O点处的界面张力必须达到力学平衡。   在平衡状态下，三叉晶界的各面角均趋向于最稳定的120?