第一章-晶体生长和外延课题.pptVIP

外延层中缺陷: * 5.刃位错： 它们是在两个晶格常数不匹配半导体的异质外延中形成的。如果两者的晶格均很坚硬，它们将保持原有的晶格间距.界面将含有称为错配（misfit）或刃位错的错误键结的原子行 与熔硅接触：温度太高---籽晶熔断； 温度太低---过快结晶； 合适温度--籽晶与熔硅可长时间接 触，既不会进一步融化，也不会生长 * 与熔硅接触：温度太高---籽晶熔断； 温度太低---过快结晶； 合适温度--籽晶与熔硅可长时间接 触，既不会进一步融化，也不会生长 * * 线缺陷(位错) * 螺位错:将晶格剪开一部分并侧移一个晶格距离 螺位错特点 * 1）无额外的半原子面； 2）位错周围点阵也发生弹性畸变， 但不引起体积的膨胀和收缩； 3）位错畸变区也是几个原子间距宽度，同样是线位错。 面缺陷 * 孪晶界：某一晶面两边的晶体取向不同,以晶界为轴构成镜面对称 孪晶界 面缺陷 * 晶粒间界：彼此没有固定晶向关系的晶体之间的过渡区 * 本征堆垛层错 非本征堆垛层错 堆垛层错：在这种缺陷中, 原子层的堆叠次序被打断; 面缺陷 * 体缺陷 由在主晶格中固有的杂质溶解度所引起; 主晶格和析出杂质间的体积失配,从而导致位错; * 缺陷的影响 点缺陷：影响杂质的扩散运动； 线缺陷：金属杂质容易在线缺陷处析出，劣化器件性能； 面缺陷：不能用于制造集成电路； 体缺陷：不能用于制造集成电路； 硅材料的性质 * 吸杂 * 晶圆上制造器件的区域去除有害的杂质或缺陷的过程: 硅片体内氧的析出沉淀， 在高温时产生位错，释放应力， 位错起吸杂作用； 外延(Epitaxy) * 以衬底晶片作为晶体籽晶; 外延层和衬底的材料相同时, 称为同质外延(homoepitaxy) 硅衬底上外延生长单晶硅； 如果外延层和衬底的化学性质和晶体结构都不相同时, 称为异质外延（heteroepitaxy) GaAs上生长AlxGa1-xAs 外延生长比从熔体中升上温度低很多(30%-50%) 最常用的外延技术： 化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition, CVD) 分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE) 化学气相沉积外延 * 通过气体化合物间的化学作用而形成外延层的工艺; 常压(Atmospheric Pressure CVD) 低压(Low Pressure CVD); ① 反应物输送到衬底的区域; ② 转移到衬底表面并且被吸收; ③发生化学反应并外延生长; ④ 气相生成物被释放到主气体流中; ⑤反应生成物被输送出反应炉外. 硅的气相外延 * 四种硅源被用作气相外延生长: 四氯化硅(SiCl4)、三氯硅烷(SiHCl3)、二氯硅烷(SiH2Cl2)、和硅烷(SiH4)； 四氯化硅研究得最透彻，且广泛地应用在工业界，其主要的反应温度是1200℃； 从四氯硅烷生长硅的反应如下： SiCl4(气体)+2H2(气体) Si(固体)+4HCl(气体) 硅的气相外延 * 从四氯硅烷生长硅的反应如下： SiCl4(气体)+2H2(气体) Si(固体)+4HCl(气体) SiCl4(气体)+Si(固体) 2SiCl2(气体) 额外竞争反应： SiH4(气体) Si (固体) +2H2 (气体) 利用硅烷生长： 1000oC 其他硅源之所以被使用，是因为它们有较低的反应温度,四氯化硅中，每用氢取代一个氯原子，反应温度约降低50℃ SiCl4 与硅外延生长 * SiCl4在气体中的摩尔比例 腐蚀反应可以用于 外延生长之前的表面清洁。 硅的气相外延掺杂 * 单晶硅在生长的过程中可以实现掺杂； 将含有杂质的气体与硅源气体一起引入； 在高温下杂质的氢化物将分解； 2As +3H2 2AsH3 N型掺杂： 1000oC 2PH3 2P +3H2 1000oC B2H6 2B +3H2 1000oC P型掺杂： 硅外延掺杂过程 * GaAs的外延 * 4AsH3 → As4 + 6H2 （1） As4 + 4GaCl3 +6H2 →4GaAs + 12HCl （3） 6HCl + 2Ga →2GaCl3 + 3H2 （2） 砷化镓的衬底晶片一般维持在650℃到850℃的范围;