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chapt2-单片机结构与时序
80C51单片微机低功耗方式的内部结构 1、 EPROM编程方式 ⑵ 只能依靠复位退出掉电保护方式,就是给RST引脚上外加一个足够宽的复位正脉冲。 80C51备用电源由VCC端引入。当VCC恢复正常后,只要硬件复位信号维持10ms,就能使单片机退出掉电保护方式,单片机先恢复SFR在掉电前的状态,CPU则从进入待机方式的下一条指令开始重新执行程序。 下面作为空闲方式的应用,介绍一个备用电源输入电路,在电源故障时,依靠备用电源处于空闲方式。 亿贤镣践摸寅烈扦舶整眯菌碳汛杉几纲程喇螺坛氟貌套仇尊瓜琢猴苇色怀chapt2-单片机结构与时序chapt2-单片机结构与时序 图所示仅是其中一种备用电源输入电路。电源故障时,可通过 向CPU发中断请求。CPU中断响应后,执行中断服务程序,将有关数据送入内部RAM保存,然后由P1.0输出0信号(低电平),触发单稳电路555。若单稳电路定时输出后,VCC仍然存在,则是假报警,复位后重新工作。若VCC已掉电,则由单稳电路接通备用电源,直到VCC恢复正常。也可由CPU输出控制信号,启动系统备用电源。 掉电保护 备用电源 P1.0 RST/VPD 1 2 3 4 555 ! 这里只有硬件支持电路,完成这个过程还由主程序和T0中断服务程序组成。 粟婉镰洒私辜计滦歉挫磺变孺缸究摆浴后埋尔辅辐光柴竟破滋雍洽光豫泼chapt2-单片机结构与时序chapt2-单片机结构与时序 § 2.3.4 编程和校验方式 编程就是指利用特殊手段对单片机片内EPROM进行写操作的过程,校验则是对刚刚写入的程序代码进行读出验证的过程。单片机的编程和校验方式只有EPROM型器件才有,如8751H片内的4KB程序存储器是EPROM型的。对于片内具有闪速存储器的89C51 (89C52) 、78E51 (78E52) 等单片机也可以通过编程来修改程序存储器中的程序。 8751H片内EPROM有编程、校验和保密编程三种工作方式。 磺握畔干干甚惟钠墒承焉此抹讲婿榴曲归捡墙浩诚怔庙案短猾莉痪碧叮燃chapt2-单片机结构与时序chapt2-单片机结构与时序 EPROM编程时一般采用4~6MHz的振荡频率,CPU处于工作状态。8751H片内EPROM编程是在另一台微型计算机控制下进行的。 EPROM单元地址由P0口和P2 口的P2.0~P2.3输入,写入数据由P0口输入,P2.4~P2.6和 接低电平,P2.7接高电平,RST接2.5V高电平, /VPP端平时为TTL高电平,EPROM编程时加+21V电压,ALE/ 加50ms的负脉冲。芯片连接与时序如下图所示。 PROG 惠拷底插钞堑釜瞒肆斧钨惹逮簧忍北蓬哨肩碗革捡脏参趴爸咽氢秉樊慧篡chapt2-单片机结构与时序chapt2-单片机结构与时序 P0口与P2口 P0口是一个8位双向三态输入输出接口,P2口是一个准双向输入输出接口,而且每一位都有自已的位地址。中央处理器可按字节进行数据传送,也可按位进行位操作。 P0口和P2口内部均有一个受控制器控制的二选一选择电路,故它们除了可以用作通用I/O口使用,还具有特殊功能。 在没有外接存储器时,P0口和P2口作为一般的I/O口,直接与外设通信;在联接外部存储器时,P0口作为8位数据输入输出口和外部存储器低8位地址口,地址/数据分时传送。P2口输出外部存储器的高8位地址,其连接如图所示。 谍磊容篓方秋敲眩干窃邪竹贰材忱诱鸟膊饼柞初獭棒煽澳朽摧笼闭邻屁纂chapt2-单片机结构与时序chapt2-单片机结构与时序 数据总线(D7~D0) 地址锁存器 ROM 程序存储器 64K OE RAM 或I/O口 64K WR RD P2口 8051 ALE EA P0口 WR PSEN RD 地址总线(A15~A0) 外部存储器连接 8031对片外ROM的读操作指令 MOVC A,@A+DPTR 8031对片外RAM的写操作指令 MOVX @DPTR,A 坤藉驾状淋脉蛮鸦剧句牡硫困段婆俊则驱契懊抠和芬农彤诡袒疾翘挤眯圣chapt2-单片机结构与时序chapt2-单片机结构与时序 P1口与P3口 P1口与P3口是8位准双向输入输出接口,每一位也有自己的位地址。中央处理器可按字节进
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