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集成电路复习资料
集成电路复习资料(大国际二班出品)名词解释:微电子学:微电子学(Microelectronics)是电子学的一门分支学科,主要是研究电子或离子在固体材料中的运动规律及其应用,并利用它实现信号处理功能的学科。它以实现电路和系统的集成为目的的。摩尔定律: HYPERLINK /view/44388.htm \t /_blank 摩尔定律是由 HYPERLINK /view/15281.htm \t /_blank 英特尔(Intel)创始人之一 HYPERLINK /view/59874.htm \t /_blank 戈登·摩尔(Gordon Moore)提出来的。其内容为:当价格不变时, HYPERLINK /view/1355.htm \t /_blank 集成电路上可容纳的 HYPERLINK /view/30363.htm \t /_blank 晶体管数目,约每隔18个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。特征尺寸:在集成电路领域,特征尺寸是指半导体器件中的最小尺寸。在CMOS工艺中,特征尺寸典型代表为“栅”的宽度,也即MOS器件的沟道长度。N型半导体:也称为电子型半导体。N型半导体即 HYPERLINK /view/299309.htm \t /_blank 自由电子浓度远大于 HYPERLINK /view/194378.htm \t /_blank 空穴浓度的 HYPERLINK /view/1003023.htm \t /_blank 杂质半导体。IC(Integrated Circuit):集成电路,缩写为IC;顾名思义,就是把一定数量的常用电子元件,如电阻、电容、晶体管等,以及这些元件之间的连线,通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的电路。BJT(Bipolar Junction Transistor—BJT):双极结型 HYPERLINK /view/30363.htm \t /view/_blank 晶体管的缩写,又常称为双载子晶体管。它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件,有PNP和NPN两种组合结构。MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET):金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor): HYPERLINK /view/4269850.htm \t /view/_blank 互补金属氧化物半导体,电压控制的一种放大器件。是组成CMOS数字集成电路的 HYPERLINK /view/693012.htm \t /view/_blank 基本单元。More than Moore:超越摩尔定律也称超摩尔,在无线通信等应用的拉动下,微电子技术不仅按摩尔定律指引的按比例缩小方向发展,逐渐形成了“超摩尔定律”的发展趋势。特点一:采用非CMOS的等比例缩小方法,将集成电感、电容等占据大量PCB空间的无源元件集成在封装内,甚至芯片上,使电子系统进一步小型化,以达到提高性能的目的。特点二:按需要向电子系统集成“多样化”的非数字功能,形成具有感知、通信、处理、制动等功能的微系统。More Moore:更摩尔,摩尔定律的进一步发展。DRAM(Dynamic Random Access Memory):动态 HYPERLINK /view/943101.htm \t /_blank 随机存取存储器,最为常见的 HYPERLINK /view/404470.htm \t /_blank 系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用 HYPERLINK /view/3686.htm \t /_blank 电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果 HYPERLINK /view/1223079.htm \t /_blank 存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)SRAM(Static RAM):静态随机存储器。它是一种具有静止存取功能的 HYPERLINK /view/1082.htm \t /subview/423438/_blank 内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据.。MPU:MPU有两种意思,微处理器和内存保护单元。(1) HYPERLINK /view/1125.htm \t /view/_blank 微处理器(Microprocessor Unit)微机中的 HYPERLINK /view/14045.htm \t /view/_blank 中央处理器(CPU)称为 HYPERLINK /view
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