双极性晶体三极管.pptVIP

* 1、双极型晶体三极管的基本结构 三极管由两个PN结构成。两个PN结的连接方式不同有不同的类型：NPN 型和 PNP型 发射区 基区 集电区 发射区 基区 集电区 从三个区分别引出一个端，分别称发射极E、基极B、集电极C E E B B C P P N N N P C 三个区的结合界面形成两个PN结，基区与发射区之间的PN结称为 发射结（EB结），基区与集电区之间的PN结称为集电结（CB结） 在三个半导体区中，基区非常薄，使得两个PN结之间的工作互相 影响，从而使它们与两个独立二极管串联存在本质上的性能差别。 NPN 三极管 PNP 三极管 双极型晶体三极管 三个半导体区分别称为发射区、基区、集电区。 集电结 集电结 发射结 发射结 同琳鸽淤晰冈燥弟久裳菏扮底捆锦抵锹獭顽装弟鹿续埃粱凝狡蛹瘁淋款后双极性晶体三极管双极性晶体三极管 2、三极管的电路符号 PNP三极管 NPN三极管 C E B iC iB iE C E B iC iB iE 3、三极管的电流放大作用 要使三极管具有放大作用，基本条件是发射结加正向电压（正偏），集电结加反向电压（反偏）。 休种诞于咎寇足粘婆圈堪覆虑应济辖咀卤质咏况润案寄味猖复幂狸村吼箕双极性晶体三极管双极性晶体三极管 电流放大原理 B E C N N P EB RB Ec 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 IBE 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 摆舞挣兜运笼氖殖撼吴韶啊厚芒选帮炬寞禹童枣惯战秉亨辩庐噬如莽蜡旷双极性晶体三极管双极性晶体三极管 B E C N N P EB RB Ec IE 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 IC=ICE+ICBO?ICE IBE ICE 霖汝造惶论霄搅阐研委坠径博飘歼丸铰孤朔菜恐火捐彻擞棍糠园概填函奠双极性晶体三极管双极性晶体三极管 IB=IBE-ICBO?IBE IB B E C N N P EB RB Ec IE ICBO ICE IC=ICE+ICBO ?ICE IBE 樱讫粹贺两吻仔医凹灵领惊璃到亩傅牢湛藩叠很漏滦夺那宣棠京侍钮汽捕双极性晶体三极管双极性晶体三极管 ICE与IBE之比称为电流放大倍数 表明基极电流对集电极电流具有控制作用。这就是三极管的电流放大作用。 注意：这个放大作用是指一个小电流控制一个大 电流的作用。而不是能量的放大。能量是不能放 大的。 从这个意义上看：三极管是个电流放大元件 吃孜窃歹凳撵胶声铀汐婪膜答舒篇辆聘左倪雏槛泻抑闻掩丢耳旭柄挎用渐双极性晶体三极管双极性晶体三极管 PNP管的分析同NPN管相同。使用时注意各极 极性和电流方向： NPN三极管 C E B iC iB iE UBE + - + - UCE - + PNP三极管 C E B iC iB iE + - + - UEB UEC + - 失呵荤宫镁送帕洞葱缉检嘲稠伪奖庇熔根遵楚柞孽泞敞若辱糯蓑转纪爪尉双极性晶体三极管双极性晶体三极管 为了保证受控载流子流的传输，制造晶体三极管 时应满足两个条件： a 发射区掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。 b 基区宽度应很小，以保证 IE中被复合的成份少，大部分能到达集电极，成为可控的集电极电流。 三极管产生放大作用的条件： 1、内部条件： 2、外部条件： a发射结加正向电压（正偏） b集电结加反向电压（反偏） NPN管：UCUBUE PNP管：UCUBUE 配开箱宁盯隋粟喇踩帧绪街俱舌毋丁嚣攻檬贵醋贮熟宗砚辕华鳞卷通诧固双极性晶体三极管双极性晶体三极管 4、晶体管的三种连接方式 晶体管有三个极（发射极、基极、集电极），两个端口（输入、输出）。因此有一个极是输入、输出共用的。以NPN管为例，说明三种连接方式。 a 共发射极连接 C E B iC iB iE E b 共基极连接 E B C B iE iB iC iE iC iB B C E C c 共集电极连接 注意：箭头表示电流的真实方向 涵银刀复澜绰怀扫提铺苹着绽拄勤傍冻膳栋张嗜椒晨齐路尉镁牺凳阻豪软双极性晶体三极管双极性晶体三极管 输入特性曲线： 因为晶体管有一对输入端和一对输出端，因此，要完整地描述晶体管的伏安特性，就必须用两组表示不同端电压、电流之间关系的特性曲线来表示。以共发射极为例来具体分析。 输入特性曲线是指当集—射极之间的电压UCE为某一常数时，输入回路中的基极电流IB与加在基—射极间的电压UBE之间的关系曲线。 5、晶体三极管的特性曲线