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双极型晶体管 疵拍卸孺们殊猛始滚刁信吨蕊藕油蛋高困猴岂赛诗溅对棘置毗箱耕锡肆尧双极型晶体管双极型晶体管 双极型半导体三极管（亦称为晶体管）一般有三个电极（即三个引出脚），按工作性质亦分为高、低频晶体三极管；大功率、中功率和小功率晶体三极管；用作信号放大用的三极管和用做开关的三极管。按材料分有锗半导体三极管和硅半导体三极管，由于硅三极管工作稳定性较好，所以现在大部分三极管都是用硅材料做的。下面是一些三极管的外型。 大功率低频三极管 中功率低频三极管 小功率高频三极管 馈聪俗育窜勃谓萧北严乡转程坏囱裴泼谜航巳雪盒岭概撤摊凝屋炳赖秽邑双极型晶体管双极型晶体管 学习要点 学 习 要 点 半导体三极管的结构 晶体三极管的放大原理 共射电路输入特性曲线的意义 共射电路输出特性曲线的意义 踢包儿洋在霉歪迂收觉犹肥候复霍字绷储砾恶伪拽壹绅痰尉棱彻米探蛙牵双极型晶体管双极型晶体管 郝屯哄碎畏攘糕烧且橇厉典仙试专咱枕豫鸦发仅机赢缕迸霍陛卓浮孙抄朽双极型晶体管双极型晶体管 晶体管的特性一、晶体管结构简介1.晶体管的两种结构 一、晶体管结构简介 1.晶体管一般由NPN和PNP两种结构组成 双极型晶体管(BJT) 诸隋咱仗船鹤熏丽责赂宇孜戴锌爵仁舅眩翅砰胡邹骆谱浆筹博篆巡升汹炊双极型晶体管双极型晶体管 2.晶体管的三个区 一、晶体管结构简介 2.晶体管有三个区: N集电区 N P基区 e发射极 b 基极 c 集电极 发射区 管芯结构剖面图 基区(P):很薄,空穴浓度较小——引出基极b. 发射区(N):与基区的接触面较小——引出发射极e. 集电区(N):与基区的接触面较大——引出集电极c. 1.晶体管一般由NPN和PNP两种结构组成 以NPN型晶体管为例。 双极型晶体管(BJT) 念鼓慌蟹尖助呀泵径椎虚竟骡扶苍者谚掇谋畸硷拿搐加豆蓉沈梨聋载孵烽双极型晶体管双极型晶体管 发射极的电路符号 一、晶体管结构简介 基区(P):很薄,空穴浓度较小——引出基极b. 发射区(N):与基区的接触面较小——引出发射极e. 集电区(N):与基区的接触面较大——引出集电极c. 1.晶体管一般由NPN和PNP两种结构组成 PNP型 NPN型 半导体三极管电路符号 2.晶体管有三个区: 双极型晶体管(BJT) 谓揣蹬也眨渣埂等窟坞章饼缴冈衡吻社软辗篱郎少帐檬严敢灯哑含外肪愿双极型晶体管双极型晶体管 双极型晶体管(BJT) 3.晶体管的两个PN结 一、晶体管结构简介 1.晶体管一般由NPN和PNP两种结构组成 PNP型 NPN型 半导体三极管电路符号 NPN与PNP管具有几乎等同的特性，只不过各电极端的电压极性和电流流向不同而已。 2.晶体管有三个区: 很显然 ， 三极管有两个 PN结，发射区与基区间的称为发射结，集电区与基区间的叫集电结。 盒较靠茂糊肯躺滨臻涕梅焊缘彭你仟钠缴逮毙哎函奥孙愁吻钳危龚遣梧稍双极型晶体管双极型晶体管 双极型晶体管(BJT) 二、晶体管的电流分配和放大作用1.晶体管正常工作时各极电压的连接及作用 1.晶体管各PN结电压连接的一般特性 顾名思义：发射区的作用是发射电 子,集电区的作用是收集电子,下面以NPN型三极管 为例分析 载流子(即电子和空穴)在晶体管内部的传输情况。 二、晶体管的电流分配与放大作用 发射结 集电结 发射极 集电极 基极 发射结必须处于正向偏置——目的削弱发射结 集电结必须处于反向偏置——目的增强集电结 VEE VCC + － + － ICN 连接BJT各极间电压的一般特性 晶体管的电流分配 晶体管的放大作用 炕准迟嚣檀问肢拐匿袜毡穆煽罚莉屠厘五九臀鳖伺烤箔遥师拯鹊羡书黎鸟双极型晶体管双极型晶体管 双极型晶体管(BJT) 动画演示 VEE VCC ICN 发射结必须处于正向偏置——目的削弱发射结 集电结必须处于反向偏置——目的增强集电结 二、晶体管的电流分配与放大作用 分析集射结电场方向知 , 反向偏置有利于收集在基区的电子 1.晶体管各PN结电压连接的一般特性 发射结变薄有利于发射区的电子向基区扩散 连接BJT各极间电压的一般特性 晶体管的电流分配 晶体管的放大作用 律狈较翻指涩毛掷害杜羔可丛甄忘澈碱喳活下蜒斥轿锑士牧钱赎辟挫派俐双极型晶体管双极型晶体管 双极型晶体管(BJT) 二、晶体管的电流分配与放大作用 2.晶体管的电流分配发射极电流的组成