Ch10MOS基本电路.pptVIP

集成电路设计基础 王志功 东南大学 无线电系 2004年 传输门不仅是MOS集成电路中的一种基本电路，而且还是一种基元，因为其它基本电路，如反相器，实际上也是由传输门组成的。 10.1.1 NMOS传输门 NMOS传输门电路符号下图所示。它只含有一个MOS管，栅极加控制电压V?，衬底接地。MOS管的漏极D与源极S分别接输入与输出。输出负载是一个电容CL，它是后级的输入电容。 10.1.1 NMOS传输门(续) 注意：MOS管的结构是对称的。 D和S在结构上没有任何差别。通常， 规定输入端为D，输出端为S。因为: 这种电路是不加电源电压的； 电路正常工作所需的能量全由输入端提供。当MOS管导通时，输入电压就对CL充电，在CL上建立输出电压，其能量由输入端提供。或者CL对输入端放电，把能量还给输入端。因而，输出电压总是小于或等于输入电压。 所以，规定输入端为D，输出端为S。 NMOS传输门(续) 传输门电路很简单，但分析还相当麻烦。因为: 1) 控制MOS开关导通与否的电压是Vgs，而不是V?，Vgs = V??VO 。这里VO既是输出电压，又重新作用在 g-s之间，是百分之百的负反馈，象一个“源极跟随器”。 2) 负载是一个电容CL，它有充放电过程，输出电压Vo是逐步建立起来的。 当开关断开，停止充放电时，电容CL上的电荷将保持不变，相应的输出电压Vo也保持不变（MOS呈高阻态）。 所以，传输门不仅仅是一只开关，而且还有记忆能力。 NMOS传输门(续) 规定符号： NMOS传输门(续) 两种情况: 1) ? = 0 (V? = 0), NMOS不通, VO和O保持不变, 即 VO=VO–, O=O – NMOS传输门(续) 假定： ? = 0，指V? = 0 ? = 1，指V? = Vdd I = 0，指Vi = 0 I = 1，指Vi = Vdd 则传输门的输出电压Vo特性为， ? =0? VO= VO? ? =1? VO= min(Vi, V ? -Vtn) NMOS传输门(续) 结论： 1）当NMOS传输门用作开关以传输逻辑信号时，传输“0”逻辑将是理想的。传输“1”逻辑则不理想，因为电平是蜕化的：尽管输入Vi = Vdd，输出却为Vo = Vdd?VTn。 2） 传输门是由?控制的。 当? = 1，MOS开关导通,可以传输信号。 当? = 0，MOS开关不通,不传输信号.这时，Vo = Vo?，是前一个状态之值。这表示，传输门是一种记忆元件，是一种时序逻辑。 NMOS传输门(续) 3） 采用状态表示时，传输门特性为， ? = 0 ? O=O– ?= 1 ? O=I– 10.1.2 PMOS传输门 注意： 1）PMOS管的门限电压VTp是负的，只有当Vgs ? ?? VTp?，即负得足够时才会导通。 2) 在PMOS电路中，通常是加负电源电压?Vdd，而正端接地。 3) 衬底接最高电位，即地。 PMOS传输门(续) 早期的PMOS电路采用负电源，负逻辑，上述各点都正确。然而，PMOS逻辑电路已经淘汰。目前，PMOS管仅用于CMOS电路。它采用正电源，正逻辑。于是，衬底接Vdd。 PMOS传输门的工作原理同NMOS传输门完全一样. PMOS传输门(续) 两种情况: 1) ? = 0 (Vf = 0) PMOS导通与否取决于Vgs=V?-VO– 若 VO – ??Vtp?, 即 Vgs ? -?Vtp?, PMOS导通, 这时若 Vi VO –, CL将充电, VO上升, VO= Vi 若Vi VO –, CL将放电, VO下降, VOmin= ?Vtp? ?=0? VO(t)= max(Vi, ?Vtp?) PMOS传输门的基本特性是 ?=0? VO= max(Vi, ?Vtp?) ?=1? VO= VO – 结论一: PMOS传输门用作开关传输逻辑信号时 传输“1”逻辑, 将是理想的. 传输“0”逻辑, 不是理想的. 因为电平是蜕化的, 即Vi=0, Vomin=?Vtp?. PMOS放电放不到底！ PMOS传输门(续) 采用状态表示的传输门特性 PMOS传输门(续) 结论三: 从PMOS传输门的卡诺图指出，PMOS传输门的基本特性为， 表示在?的控制下，传送I。即， ? = 0时，O = I ? = 1时，O = O? 10.1.3 CMOS传输门 将NMOS传输门和PMOS传输门的优缺点加以互补, 得