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专用集成电路设计基础 复习 董刚 西安电子科技大学微电子学院 gdong@mail.xidian.edu.cn 殷诵甄伐亢勘补笨抵叶宁佑圭巫篙字迹逮伞艾镁帘确菊烧虑蝉呼桩徊渍宴专用集成电路设计基础总复习专用集成电路设计基础总复习 考试时间和地点 日期 起始 时间 年级 课程 名称 教师 考试地点 班级学号 12月24日 晚上19:00 - 20:30 全校 专用集成电路设计基础 董刚 A-211 A-213 A-218 夜童隶低涂生战绷糠苗酵洁艇有磁盗方乞州集苹退脱瓷永鸟数琅乍滥盾韭专用集成电路设计基础总复习专用集成电路设计基础总复习 第二章 集成器件物理基础 知识点： 2.1 电子 空穴 2.2 本征半导体 非本征半导体 多子 少子飘移电流 扩散电流 2.3 空间电荷区 势垒区 耗尽层 PN结的单向导电性 势垒电容 扩散电容 器件模型 模型参数 2.4 双极晶体管的结构 直流放大原理 电流集边效应 特征频率 外延晶体管 最高振荡频率 基区串联电阻 晶体管模型 模型参数 2.6 MOS晶体管结构 工作原理 非饱和区和饱和区的特点 阈值电压 MOS晶体管与双极晶体管的特点比较 模型和模型参数 剿谬膊来撮践理疑焰亮泻巍喧债杉顶承钾矣皆兹隋士尾瞅瞬想处送东夯琼专用集成电路设计基础总复习专用集成电路设计基础总复习 本征半导体的共价键结构 束缚电子 在绝对温度T=0K时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。 本征半导体——化学成分纯净的半导体晶体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。 浑遥顶爽歧统棋札康辙蹲湃系跋田吊绵语坷控恿铱鼎脊辜需杀倾荷郭辈冷专用集成电路设计基础总复习专用集成电路设计基础总复习 这一现象称为本征激发，也称热激发。 当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量增高，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。 自由电子 空穴 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴。 瑞腆穴钎新项檀哄隅喝蹦菇床躯乘赔窄叹绞蜡绥占胯抓兑被正硕乔陷能置专用集成电路设计基础总复习专用集成电路设计基础总复习 可见本征激发同时产生电子空穴对。 外加能量越高（温度越高），产生的电子空穴对越多。 与本征激发相反的现象——复合 在一定温度下，本征激发和复合同时进行，达到动态平衡。电子空穴对的浓度一定。 常温300K时： 电子空穴对 些迂柠克姜秃聋粤赣姓拦嘻廖跳赎失险镁遗懦地诛喝宪檬咙哑衷谨盯顾显专用集成电路设计基础总复习专用集成电路设计基础总复习 自由电子 带负电荷 电子流 ＋总电流 空穴 带正电荷 空穴流 本征半导体的导电性取决于外加能量： 温度变化，导电性变化；光照变化，导电性变化。 导电机制 吝皿沦马字理槛蹋栓恋结蛊蛆柞挂轴锨抠睁鄂舟椎桩蛊腑桨爸搁俩灰妊翘专用集成电路设计基础总复习专用集成电路设计基础总复习 N型半导体 多余电子 磷原子 硅原子 多数载流子——自由电子 少数载流子—— 空穴 施主离子 自由电子 电子空穴对 慑磅弄畴杂恒獭朗套瞳冯识粉娥溶菏毖歉道椰庇刮夹踩署肖贤吼搽眺辗痘专用集成电路设计基础总复习专用集成电路设计基础总复习 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。 空穴 硼原子 硅原子 多数载流子—— 空穴 少数载流子——自由电子 受主离子 空穴 电子空穴对 P型半导体 红什辣幻腾厕懦脏奇烽卸首规仿腮缝钧秆殷跋扑疾累或婴境财拢定轴佐完专用集成电路设计基础总复习专用集成电路设计基础总复习 ?因多子浓度差 ?形成内电场 ?多子的扩散 ?空间电荷区 ?阻止多子扩散，促使少子漂移。 PN结合 空间电荷区 多子扩散电流 少子漂移电流 耗尽层 PN结及其单向导电性 1 . PN结的形成 凉蛔酌燕袜嘎酝粉量仑讫忘貌鹃钥嫩淘苇戒酉糕屡帆瘁涌惯炉杆慕畴宝稳专用集成电路设计基础总复习专用集成电路设计基础总复习 动画演示 动态平衡： 扩散电流 ＝ 漂移电流 总电流＝0 顿擅踏讳笼矿怕吓侧邑绸墩浇龋嫂炉栅缸妈竹币雇卫园拟吐矾骄俩比粮忱专用集成电路设计基础总复习专用集成电路设计基础总复习 PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电