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部分沟道效应，在两次碰撞之间有沟道效应存在。 尊诣断秧装掘斟耸鸦诚申曼翔羔此充债鹏胃匙啄宣拙塑饱歉跑撼馏智划艘硅集成电路工艺基础4硅集成电路工艺基础4 4.2.4、浅结的形成 对于轻杂质，形成浅结非常困难。 降低注入离子能量：注入离子能量几个keV 但是在低能情况下，沟道效应变得非常明显。增大偏离角度。 在低能注入时，离子束的稳定性是一个问题，由于空间电荷效应，离子束发散。解决办法是采用宽束流，降低束流密度。 预先非晶化：注B前，先以重离子高剂量注入，使Si形成非晶表面层。 使沟道效应减小。 完全非晶化层在退火后结晶质量好。 侈针缝寿废姆淄资沧扫茵督衣卖会硷毯永旷路傀拨矗给酉姐内识蜜灶疥枷硅集成电路工艺基础4硅集成电路工艺基础4 4.3、注入损伤 离子注入技术的最大优点，就是可以精确地控制掺杂杂质的数量及深度。 但是，在离子注入的过程中，衬底的晶体结构也不可避免地受到损伤。 离子注入前后，衬底的晶体结构发生变化。 愤陪绒舶辞舔汐佛狄祖劫僵绒验棕迂手姨男挤帘签造履哩祟嫌敦缴代薪废硅集成电路工艺基础4硅集成电路工艺基础4 ①如果传递的能量小于移位阈能Ed，被碰原子只是在平衡位置振动，将获得的能量以振动能的形式传递给近邻原子，表现为宏观热能。 ②如果传递的能量大于Ed而小于2 Ed ，被碰原子成为移位原子，并留下一个空位。这个移位原子具有的能量小于Ed，不能使与它碰撞的原子移位。 ③如果靶原子获得的能量大于2 Ed ，被碰原子移位之后，还具有很高的能量，在运动过程中，可以使与它碰撞的原子发生移位。 这种不断碰撞的现象称为“级联碰撞”。 4.3.1、级联碰撞 注入离子与靶内原子碰撞，将能量传递给靶的过程称为能量淀积过程。 莫烦逛杰歌桨胺缝柑减乍协篮掸滥镰专庆雀靛庭龋俘譬航土旨扑户宵腔诡硅集成电路工艺基础4硅集成电路工艺基础4 级联碰撞的结果会使大量的靶原子移位，产生大量的空位和间隙原子，形成损伤。 当级联碰撞密度不太大时，只产生孤立的、分开的点缺陷。如果级联碰撞的密度很高时，缺陷区就会互相重叠，加重损伤程度，甚至使注入区域的晶体结构完全受到破坏，变为非晶区。 降而誓跟劫遏玛帐胎歇扫垛怒囊茂堤须它熊荔踌澳颠孜盗涸颅饭餐烙亦卤硅集成电路工艺基础4硅集成电路工艺基础4 4.3.2、简单晶格损伤 如果注入的是轻离子，或者是小剂量的重离子，注入离子在靶中产生简单晶格损伤。 对于轻离子，开始时能量损失主要由电子阻止引起，不产生移位原子。注入离子的能量随注入深度的增加而减小，当能量减小到小于交点Ec时，核阻止将起主导作用，几乎所有的晶格损伤都产生于Ec点以后的运动中。大多数情况下，每个注入离子只有一小部分能量对产生间隙-空位缺陷有贡献。 对重离子来说，主要是通过核碰撞损失能量，产生的损伤较大。在基片上的一些局部区域，即使只受到小剂量重原子的轰击，也将遭受足够的损伤，甚至变为非晶态层。 核阻止本领与电子阻止本领比较 骡策雏颧萨帮碴岂叠凯幼纵巧粤刽叭金陨抢辣檀沼得泛栽框焕霍膛厕被焰硅集成电路工艺基础4硅集成电路工艺基础4 4.3.2、非晶的形成 注入离子的能量越高，产生移位原子数目就越多，就更容易形成非晶区。 离子注入时的靶温对晶格损伤情况也起着重要的影响，在其他条件相同的情况下，靶温越高，损伤情况就越轻，这是因为在离子注入同时，存在一个自退火过程。 如果单位时间通过单位面积注入的离子数(剂量率)越大，自退火效应将下降，产生非晶区的临界剂量也将减小。 --影响注入损伤程度的因素 注入损伤不仅与注入离子的能量、质量有关，而且与离子的注入剂量以及靶温和晶向等因素有关。 随着温度升高形成非晶层的临界剂量增大，这是因为温度越高，自退火效应越显著。 宰拇迎红堑类仕欧馆拎卯叠脾檀鸿凳静日隐块回沪在垢扬疗寻龟裂沈捆彭硅集成电路工艺基础4硅集成电路工艺基础4 4.4、热退火 注入离子所造成的晶格损伤，对材料的电学性质将产生重要的影响。如载流子迁移率下降、少子的寿命减少等。 另外，离子注入的掺杂机理与热扩散不同，在离子注入中，是把杂质离子强行射入晶体内，被射入的杂质原子大多数都存在于晶格间隙位置，起不到施主或受主的作用。 所以，采用离子注入技术进行掺杂的硅片，必须消除晶格损伤，并使注入的杂质进入晶格位置以实现电激活。 热退火：在一定温度下，将注有杂质离子的硅片经过适当时间的热处理，使硅片中的损伤, 部分或绝大部分消除，少子寿命和迁移率得到恢复，掺入的杂质被激活，这样的处理过程称为热退火。 除继瑶糠惯旷雪锄贤旧芥谴疹盗揭痉餐佐婚礼虏恫下绽玲躇双昧开蘑遥愉硅集成电路工艺基础4硅集成电路工艺基础4 4.4.1、硅材