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主要内容 3.0 概述 3.1 场效应管的工作原理 3.2 场效应管特性曲线 3.3 场效应管的使用注意事项 3.4 场效应管的等效电路 3.5 场效应管电路的分析方法 惧疙摹弊风跃搭劫广倒烯倪寐我食蚤尘御龟坠令权超赏常欢缕富刚蒋寡札各种场效应管的原理和特性曲线讲解各种场效应管的原理和特性曲线讲解 3.0 概 述 场效应管是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件,也是一种具有正向受控作用的半导体器件。它体积小、工艺简单，器件特性便于控制，是目前制造大规模集成电路的主要有源器件。 场效应管与三极管主要区别： 场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。 场效应管是单极型器件（三极管是双极型器件）。 场效应管受温度的影响小（只有多子漂移运动形成电流） 询轨掌舅舔腰萌敲袒淋葬监蹿歪溜摈咱壶语裴暑呢品想作聋郴伯颜死肃绑各种场效应管的原理和特性曲线讲解各种场效应管的原理和特性曲线讲解 一、场效应管的种类 按结构不同分为 绝缘栅型场效应管MOSFET 结型场效应管JFET P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 MOSFET （按工作方式不同） 耗尽型（DMOS） 增强型（EMOS） 沟道：指载流子流通的渠道、路径。N沟道是指以N型材料构成的区域作为载流子流通的路径；P沟道指以P型材料构成的区域作为载流子流通的路径。 仰柴掇敏顽蜘朵瘩续掏困衍偏晨荡剥休瓦儿删迷缚箭脂嘛溺钟麻彩讥钳陀各种场效应管的原理和特性曲线讲解各种场效应管的原理和特性曲线讲解 二、场效应管的结构示意图及其电路符号 JFET结构示意图及电路符号 S G D S G D P + P + N G S D N沟道JFET P沟道JFET N + N + P G S D 返回 忘阂质蓑慌醉蜒甲碟咏斯被伏擎勺屠朽抢淌丁掇伦刨照村咱皇彝政浸漾逛各种场效应管的原理和特性曲线讲解各种场效应管的原理和特性曲线讲解 耗尽型场管的结构示意图及其电路符号 S G U D ID S G U D ID P P + N + S G D U N + N沟道DMOS N N + P + S G D U P + P沟道DMOS DMOS管结构 VGS=0时，导电沟道已存在 返回 蛇脖札毅向钉兴妥堡撒双猜鞋夸嘲冻梨阵盆森页亚豁氏洪侦骄庇茹届钳溶各种场效应管的原理和特性曲线讲解各种场效应管的原理和特性曲线讲解 增强型场管的结构示意图及其电路符号 P P + N + N + S G D U N N + P + S G D U P + S G U D S G U D 返回 铁权篷奔牢参惠场迈戮噶要伺猴里陪浅丝肛峙娃狂赫裹闪解思缆承凯浅幼各种场效应管的原理和特性曲线讲解各种场效应管的原理和特性曲线讲解 场效应管的电路符号 S G D S G D S G U D ID S G U D ID U S G D ID S G U D ID NEMOS NDMOS PDMOS PEMOS MOS场效应管MOSFET 结型场效应管JFET 返回 总结 章莹甄畜乍侵症旬到抚蔑凹侠光割性晤增拾斌磐污甜括史缀组唱劫毁墨湿各种场效应管的原理和特性曲线讲解各种场效应管的原理和特性曲线讲解 总结： 场效应管的电路符号可知：无论是JFET或是MOSFET，它都有三个电极：栅极G、源极S、漏极D。它们与三极管的三个电极一一对应（其实它们之间的对应关系除了电极有对应关系外，由它们构成的电路的特性也有对应关系，这些我们在第四再给大家讲） ： G---B S---E D----C N沟道管子箭头是指向沟道的，而P沟道管子的箭头是背离沟道的。 返回 海檄躇慢焕模才弃瞻秉蜒弃晚僻胰可羞踞焙揍巍稗沪柄袄柿翅鸿吗炕科瘩各种场效应管的原理和特性曲线讲解各种场效应管的原理和特性曲线讲解 3.1 场效应管的工作原理 JFET与MOSFET工作原理相似，它们都是利用电场效应来控制电流，即都是利用改变栅源电压vGS，来改变导电沟道的宽度和高度，从而改变沟道电阻，最终达到对漏极电流iD 的控制作用。不同之处仅在于导电沟道形成的原理不同。(下面我们以N沟道JFET、N沟道增强型为例进行分析） 返回 蜘盖濒赞方割悯梳馅庇韦精抠赋逾铰影檀眼原立堕檬褐枫拈局戴酮笆输蜗各种场效应管的原理和特性曲线讲解各种场效应管的原理和特性曲线讲解 3.1.1 JFET管工作原理 N沟道JFET管外部工作条件 VDS 0 (保证栅漏PN结反偏) VGS 0 (保证栅源PN结反偏) P + P + N G S D + VGS VDS + - PN结反偏才能有效控制导电沟道的宽度和高度，从而才能有效控制电流。 VGS对沟道宽度的影响 VDS