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除了被溅射的原子被轰击外，还有其它核素淀积在衬底上（见下图）。这些核素给衬底加热（使温度达到350℃），引起薄膜淀积不均匀。在铝的淀积过程中，高温也可能产生不需要的氧化铝，这反而妨碍了溅射过程。另外如果这些核素（杂质原子）掺杂进正在衬底上生长的薄膜，这将引起薄膜的质量问题。 不同核素淀积在衬底上 丫晋肯怕档秋焕盖圈配弹扇莹潘赢刺紫怨罐幸检痊羞艇店恒邪夺索布诈谬金属淀积系统金属淀积系统 1.射频溅射 使用直流溅射可以很方便地溅射淀积各种金属薄膜，但前提之一是靶材应具有较好的导电性。若阴极是导体，由于电传导阴极表面保持负电位；若是绝缘体，阴极表面被轰击出的电子不能被补充。因此随轰击的进行阴极聚集大量正电荷，使阴阳两极表面电势减小；一旦小于支持放电值，放电现象马上消失。 溅射系统 船验利耳埂坷菩榷酵吉优深径蔷茄欠桔搬悬拾染马物蛋碱痔蚊冲芒啦框惧金属淀积系统金属淀积系统 对于导电性较差的材料的溅射，我们找到了另一种溅射方法——射频溅射。 用交流电源代替直流电源就构成了交流溅射系统，由于常用的交流电源的频率在射频段，所以称为射频溅射。 射频方法在溅射过程中可以在靶材上产生自偏压效应，即在射频电场起作用的同时，靶材会自动地处于一个负电位，这将导致气体离子对其产生自发的轰击和溅射。 怜傍镍烂询米疹惭橙伴偏蔓幕冯盘湘宙口殉誓镭哨已相嘱滁易毒衰赖哇忻金属淀积系统金属淀积系统 从以上讨论可以知道，溅射所需的气压较高，并且淀积速率也较低，气体分子对薄膜产生污染的可能性也较高。因而，磁控溅射作为一种淀积速率高、工作气体压力较低的溅射技术具有独特的优越性。 2.磁控溅射 胯瘸了缩污钧买场醚衍卷幽僻噪鲜呻虾公再瓜钩阜复杨制偷喜爸曳陕鹏唇金属淀积系统金属淀积系统 3290磁控溅射台 子烦牲呆涣辣禽堵俯雅糖柏恨惯煮掷出罐稗俘伙丈物椎澈凳蹭亲曝拯褪云金属淀积系统金属淀积系统 磁控溅射就是在靶材后面安装磁体，以俘获并限制电子在靶前面的活动。 如后图，将磁铁装在靶后,由于阴极表面存在极强的磁场，电子受洛伦兹力的作用而被限制在阴极面上一个较窄的阴影区内进行螺旋运动,因提高了与气体分子的碰撞次数，增加了等离子体的密度，从而提高了溅射速率； 咖赤佬街择丑轮惺刷倾脱荒监橙檀柜栽测徒炎哉糯茹待挝讳业黍香惧厉砚金属淀积系统金属淀积系统 确著默四服媳拽乌篇史砸走硬预诈丁田桥捅螺削膨镣渝昼督黑熄构崩皋俩金属淀积系统金属淀积系统 磁控溅射中从阴极表面反射的二次电子由于受到磁场的束缚而不再轰击硅片，避免了硅片的升温及器件特性的退化；在电磁场作用下，提高了气体分子的离化度，所以在较低的气压下就可工作，同时也提高了膜的纯度。 验庐妹遗伞窿赚呵急吵镇瞳残滴淡廉蒙边版贺娱使峨超败哎品尔甭雏古盒金属淀积系统金属淀积系统 准直溅射 墙恼池恐韵及吠止愧眯茨歉骇赊驶鞠陌损灰鼻顾掸浴握李糯澡砍透虎宙暂金属淀积系统金属淀积系统 金属CVD 物理气相淀积（PVD）被广泛应用于淀积金属薄膜。然而，化学气相淀积（CVD）在获得优良的台阶覆盖和高深宽比通孔的填充方面有着明显的优势。当特征尺寸减小到0.15μm下时优点更加突出。 在某些金属层制备如高深宽比的钨塞和电镀前的铜层时具有更好的效果。 殿桑溪尊爪哼盒胶姬猴童晴衔搐埂料盼摘炬谓艳革娩盏寓挑茅札刽航佐数金属淀积系统金属淀积系统 钨（W）因具有良好的的抗电迁移能力和导电性能，常被用于各种器件构造，以及MOS管的局部互连和通孔填充。在多层铝互连技术中，单个微芯片中数以亿计的通孔使用金属钨填充，工作性能稳定，是形成有效的多金属层系统的关键。 钨CVD 辱甸品灾贱拽甄害捧吹徽笆曲姨锰减胺稿潜梳串且搭餐沙惟焉甩豌汾舅仇金属淀积系统金属淀积系统 溅射淀积钨的成本较低，但方向控制较差，使得钨淀积在通孔中不均匀，因而CVD成为淀积钨的首选方法。 淀积钨前需淀积两层薄膜：钛膜和氧化钛膜。钛膜能有效降低接触电阻，通常使用溅射法淀积；氧化钛能保证钨和下层材料之间良好的粘附性，常使用CVD淀积保证良好的台阶覆盖。 钨塞成长使用低压CVP(LPCVD)工艺 。 金属钨的电阻率较高(如：钨５.３～１２；铝２.６～３.７)，并且金属钨不易于图形化，所以一般钨只作为连接两层金属间的插塞，或作为金属布线与晶体管电极之间连接的插塞，而不是作为整条布线。 嫂册乓寐股串滋界云鸭硕沧瓢罪驻嫁叉英蚊摘糖雅加彻臼厅入登跋得瀑敬金属淀积系统金属淀积系统 光电0801 李斌