用比拟法求导体的接地电阻.docVIP

用比拟法求半椭圆导体球的接地电阻 李 川 （黔西南民族师专物理系 贵州 兴义 562400） 摘要：通过静电场与导电媒质内恒流电场的比拟，得到两导体间电容与电阻的关系，将之推广到孤立导体电容的求解，从而得到了孤立导体的接地电阻，并计算了半椭圆导体球的接地电阻。 关键词：比拟法 电阻 电容 接地电阻 一、电容与电阻的相似性 从无源均匀媒质中的静电场与电源外部均匀导电媒质中的恒定电流场的对比中可看出，这两种场的场方程、结构关系式及边界条件有着完全相同的形式，从数学上讲，这两种场的分布实际上是同一数学问题。在满足相同边界形状和相等效的边界条件的基础上，只需求出其中一种场的解，通过对应物理量的替换就能得到另一种场的解，这种方法叫做比拟法[1]。正是由于静电场与恒流电场的这种相似性，使得电容的计算与电阻的计算也是相似的。 在静电场中，两导体间的电容被定义为： (1) 式中为正电极上所带的电荷量，U为两电极间的电压，S为包围正电极的闭合面，为从正电极到负电极的积分路径。 若将相同的两电极置于导电媒质中并加上电压U，则在导电媒质中形成电场并产生电流，则两电极间的电导被定义为： (2) 由于这两种场的电极相同（指电极的形状，大小、相互位置相同，如果不相同，则至少要求成某种比例关系）；边界条件相同（由于电极的电导率远远大于两电极间导电媒质的电导率，从电流线的折射定律可知，导电媒质中的电场在靠近导体处与导体表面接近正交，导体面可近似认为是一个等位面，这就与静电场中导体表面是一等位面的边界条件一致），根据静电比拟原理，两电极间的电容C与电导G存在着简单的关系： (3) 从而得到电阻与电容的关系式： R= (4) 假若静电场中两导体的电容已求得，则相同两导体作为电极时的填充均匀导电媒质的电阻就可直接由(4)式得到。此处提请注意的是，(3)式并非是分子中的及分别与分母中的及相约后所得到，而是将分子中的作为一个整体与分母中的作为一个整体相约后得到[2]，它们其实分别时并不相等，不能够分别相约，但它们作为一个整体时是相等的，可以约去，读者可以同轴电缆为例写出相应的表达式后即可明白。 二、电容与接地电阻的相似性 如果我们把大地当作导电媒质，把两个导体中的一个作为接地电极而把另一个移到无穷远处，则电容成为了孤立导体的电容，电阻成为了该孤立导体的接地电阻，由于它们仍是受同一方程所支配，因而电容与接地电阻间同样具有相似性，故只要知道某种形状电极的电容，就可以从一定的对应关系式中得出该电极的接地电阻，下面我们来研究电容与接地电阻的关系。 图一所示的是一个半球状电极（虽然半球状电极实际并不使用，但却是接地理论的基础），很明显，这是一个半空间的问题，而静电场问题是一个全空间的问题，要使恒流电场与静电场间具有可比拟性，从而使接地电阻与电容具有相似性，就必须将半空间问题转化为全空间问题。图二所示为采用镜像法后，原半球电极与它的镜像共同构成了一个全空间的球形电极问题。由于接地电流的流出面积扩大了一倍，故此时的接地电阻R′是半空间情况下接地电阻的一半[3]，考虑图二所示情况，在介电常数为ε的介质中，半径为r的球体电容为： 在电阻率为的均匀导电媒质中，半径为r的接地导体球的接地电阻为R′，根据〈4〉式有： R′= = 又因半空间的接地电阻R与R′有R ＝2 R′的关系，故半球状电极的接地电阻R为： R= 因此半空间中的接地电阻R与全空间中的电容C之间有如下对应关系： (5) 对于复杂形状电极的接地电阻，只要知道附加给它镜像时的电容，就可根据(5)式计算出其接地电阻。 三、接地电阻的计算 下面计算一个如图三所示的半椭圆导体球的接地电阻，在附加其镜像后问题转变成了全空间中椭圆导体球的问题，要求出其接地电阻，关键是求出其电容。 若能找到一等位面为椭球面的已知电荷分布，则电容就能根据定义式求出。 现假设有一均匀带电线段AB，其长度为，线电荷密度为，它在空间中任意一点P（x、y、z）产生的电位为（如图四所示）： 其中: 等位面的条件为： (为常数) 最后得到等位面的轨迹方程为: 可见，等位面是以A、B为焦点，绕Z轴的共焦旋转椭球面，而长半轴为L，短半轴为r，绕Z轴的旋转椭球面的方程为： (6) 如果用一导体面代替旋转椭球面的等电位面，把线段AB上的电荷Q全部移到此导体面上来，根据格林等效层定理，椭球外的电位分布不会发生改变。因此，椭球面上的电位计算转变成