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第8章 半导体存储器与可编程器件 8.1 半导体存储器 8.2 可编程器件 8.1 半导体存储器 半导体存储器是能够存储大量二值信息的半导体器件，具有容量大、存取速度快、耗电低、体积小、使用寿命长等优点而被广泛应用。 根据存取功能的不同，半导体存储器可分为只读存储器（Read Only Memory，简称ROM）和随机存储器（Random Access Memory，简称RAM）。 根据制造工艺的不同，存储器分为双极型和MOS型。 衡量存储器性能的指标包括存储容量和存取时间。存储容量一般用存储的字数和每个字所含位数的乘积表示；存取时间反映存储器工作速度的快慢。 8.1.1 只读存储器ROM 只读存储器的特点是只能读出、不能写入。ROM分为掩模ROM（masked ROM）、可编程ROM（Programmable ROM，简称PROM）、可擦除的可编程ROM（Erasable Programmable ROM，简称EPROM）。 1.掩模ROM 掩模ROM是采用掩模工艺制成的ROM。包括存储矩阵、地址译码器、输出缓冲器三部分组成。 存储矩阵由存储单元组成，一个存储单元可以存放一位二进制代码。存储单元可以由二极管、双极型三极管或MOS管构成。 地址译码器将输入的地址转换为相应的控制信号，并以此从存储矩阵指定单元中选出数据送至输出缓冲器。 输出缓冲器在提高存储器带负载能力的同时，实现对输出状态的三态控制。 下图为二极管组成的ROM电路，具有两位地址输入、四位数据输出。地址译码器由二极管与门构成，存储矩阵由二极管组成的编码器构成。输出一个代码称为一个“字”。 字线与位线的交叉点都存放了 数据。接有二极管的交叉点存 放1，未接二极管的交叉点存放 0。交叉点的数目就是存储单元 数。用存储单元的数目表示存 储器的存储量（容量），表示成 “字数╳位数”的形式。为了简化 作图，也可以画出存储矩阵的结 点连接图，在存储矩阵的交叉点 上画一个圆点，代替存储器件。 2.可编程ROM 以双极型PROM为例，它有两种结构：熔丝烧断型PROM和PN结击穿型PROM。 下图为熔丝烧断型PROM存储单元原理图，由三极管和熔丝组成。在写入数据时只需将要存入0的存储单元上的熔丝烧断即可。 熔丝一经烧断，不能再恢复，所以它只能写入一次，仍无法满足经常修改存储单元内容的需要，这就产生了可以擦除重写的ROM。 3．可擦除的可编程ROM 可擦除的可编程ROM，即EPROM。EPROM可分为：紫外线擦除的可编程ROM（Ultra Violet Erasable Programmable ROM，简称UVEPROM）、电可擦除的可编程ROM（Electrically Erasable Programmable ROM，简称EEPROM或E2PROM）。 UVEPROM写入新信息之前必须进行擦除，而且是整体擦除，无法对单个存储单元分别进行擦除，擦除速度较慢、操作复杂。 EEPROM的存储单元采用了浮栅隧道氧化层MOS管（Floatiing