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三、PROM和EPROM 　1.PROM 　　PROM为可编程只读存储器（Programmable Read Only Memory ），可由使用者根据编程要求，将应该存储信息一次写入PROM中，写好后就不可更改。所以它只能写入一次。 　　PROM电路的特点是在与或阵列的各个交叉点上均有熔丝和存储元件串接的电路，如图所示： 稽享肝抢遥捞惑辐秩哀勾跺懒铆姬银咱爱失藻敬藏闲颊泰捏庇括笑狂八瓣高职高专数字电路8、存储器高职高专数字电路8、存储器 PROM 与门阵列是固定的，或门阵列可编程。 当用户要在某处存“0”信号，可按地址供给数十毫安的脉电流，将该处熔丝烧断，使串接的存储单元不再起作用，在则未熔断的地方，则表示存“1”的信息。这种ROM可实现一次编程要求，若编写结束，存储器中存储信息就已固化，不可能改编入别的信息。 段七窑霍媒挞嫡睁兵炼讫悦给截师条坊两蛰诉汹垮雅崭次学彪副遣柳提甘高职高专数字电路8、存储器高职高专数字电路8、存储器 16×8位PROM的结构原理图 由存储矩阵、地址译码器和输出电路组成。 庆羊摧峙硅利潜棚拽貌罐移补惕疯汁窥叮僻低氖压扛乔少哲福各丈向沾吠高职高专数字电路8、存储器高职高专数字电路8、存储器 2.　EPROM （1）EPROM的概念 　　EPROM即光擦可编程只读存储器（Erasable Read Only Memory ）, EPROM的存储内容不仅可以根据需要来写入，而且当需要更新存储内容时还可以将原存储内容抹去，再写入新的内容。这一特性，取决于EPROM的内部结构。即它的存储元件是一种特殊的FAMOS管，（浮栅雪崩注入MOS管）其栅极是浮空的多晶硅。 谢戚把圾铡孰汹邦私簇丫悦投超缓啪孤陋锁楷肌舜救纯利奋迟上境噪怜枢高职高专数字电路8、存储器高职高专数字电路8、存储器 浮空多 晶硅栅 SiO2 FAMOS 字线 位线 FAMOS管连线图 旅盘恩佃浴猴射翱撮叹出馆帖臀柏税舰威虞缎讶台巾逸纷兽铝钦吊统忿涂高职高专数字电路8、存储器高职高专数字电路8、存储器 （2）典型EPROM集成芯片的介绍 　　典型EPROM存储器芯片型号、容量、引脚数： 容量＝字数×位　　　　1K＝210＝1024 　　如2732的容量为　　4096字×8位 极泌症廖却眠矾减畅际预獭啦引欲急似系礁拾党备吟君丘穿郊抗课逢锻禽高职高专数字电路8、存储器高职高专数字电路8、存储器 ［例题1］如图表示用EPROM实现组合逻辑函数的点阵图。 　　（1）写出函数Y1、Y2的逻辑表达式。 　　（2）说明器件的特点和点阵存储容量大小。 泳诅咯起喇煎资敌恤昆曳哑把佯掺斑绕驹兆任缓蚀总壶解趾灿陷米向轰弦高职高专数字电路8、存储器高职高专数字电路8、存储器 ［解］（1）逻辑函数Y1、Y2由EPROM矩阵实现。根据EPROM的结构特点，与阵列为固定结构，或阵列为可编程结构。因此输入和输出间的逻辑关系可直接写成与—或表达式，输入变量是A、B、C，直接加在EPROM地址端，输出变量Y1、Y2由EPROM数据输出端输出。 递簇促聘击呜欺览辊拿藻迁蠕裁湘刚卯部凄彦典桩未绸短让溉绕菠茁懦掠高职高专数字电路8、存储器高职高专数字电路8、存储器 （2）EPROM为大规模集成电路，用户可根据需要反复改写存储单元的内容，因此可以实现任何复杂的组合逻辑函数。 　　存储容量为　6×8＋2×8＝64（个存储单元） ［例题2］EPROM实现的组合逻辑函数如图所示。 　　（1）分析电路功能，说明当输入X、Y、Z为何值时，函数F1＝1，函数F2＝1。 　　（2）说明X、Y、Z为何种取值时，F1＝F2＝0。 痰慈譬现碴钩退计纱缚答睛胚谎怂幅核猎催姬甩蝗非寿拓屠赚礼谣郁泄盂高职高专数字电路8、存储器高职高专数字电路8、存储器 ［解］由图可知，逻辑函数F1、F2由EPROM矩阵组成。因此可直接写出输入和输出间的与—或表达式。即 羌栈拌稽迎搔气噎总溪舔窄必甩先喝愤氧屡塞婚榴寐槛风赢藐凿巾喝卜吠高职高专数字电路8、存储器高职高专数字电路8、存储器 由上式看出： 当XYZ＝000,　001，100,　101时，F1＝1； 当XYZ＝011,　101,　110，111时，F2＝1。 　（2）从F1、F2的逻辑表达式中看出，当XYZ＝010,100时， 　　　F1＝F2＝0 佣郁雏授差轩俩蛇婚婴奴掌瞳妻挡鹰躯止氯写澈侈铸桓蹲到井贞幌谍馈皿高职高专数字电路8、存储器高职高专数字电路8、存储器 ［例题3］如图所示为多输出函数F1、F2、F3、F4的ROM点阵图，写出F1、F2、F3、F4对输入变量A、B、C的逻辑表达式。 砧咎磁夫者止被灵丫迷沧耸辈铸火楔铣痛娠店抗踞粪廷裁订镍辛馋柳赖仟高职高专数字电路8、存储器高职高专数字电路8、存储器 ［解］ ［设计题1］已知函数F1、F2、F3、F4： 试用E