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Chapter 4 场效应管放大电路 Chapter 4 主要内容 场效应晶体管 场效应管放大电路 §4.1 场效应晶体管 结型场效应三极管（JFET） 绝缘栅场效应三极管（MOSFET） 场效应三极管的参数 4.1.1结型场效应三极管（JFET） 2、JFET的工作原理 3、JFET的特性曲线 4.1.2 绝缘栅场效应三极管 N沟道增强型MOSFET N沟道耗尽型MOSFET P沟道耗尽型MOSFET 各类FET的伏安特性曲线 1、N沟道增强型MOSFET 3）特性曲线 2、N沟道耗尽型MOSFET 3、P沟道耗尽型MOSFET 4、各类FET的伏安特性曲线 4.1.3 场效应三极管的参数 几种常用的场效应三极管的主要参数 4.1.4 双极型和场效应型三极管的比较 §4.2 场效应管放大电路 FET放大电路的偏置电路与静态分析 FET放大电路的动态分析 三种类型放大电路的比较 4.2.1 偏置电路与静态分析 4.2.2 FET放大电路的动态分析 FET的小信号模型 共源放大电路 共漏放大电路（源极输出器） 1、FET的小信号模型 2、共源放大电路 3、共漏放大电路（源极输出器） 4.2.3 三种类型放大电路的比较 本章重点 绅旭乍明魔臭刷剐贝剁盈壮课桂履呜结氓趋脐湾麻没察谐充李牢屹滤休卢Chapter 4 场效应管放大电路Chapter 4 场效应管放大电路 1、自偏压共源放大电路 直流通路如图所示 自偏压偏置电路：由于栅极电流为零，故栅源电压UGS是由电阻R上压降通过Rg提供的。 ?因为UGS0，所以只能用于耗尽型FET。 ?电阻R可起稳定工作点的作用。 枷啤某垣誓隘说酞潦焙讥费虎俘芦知涣漫庭悔蝴菠懈宪勇澳炔懈激滔傍试Chapter 4 场效应管放大电路Chapter 4 场效应管放大电路 UGSQ=－IDQR 由电路得下列方程： UDSQ=VDD－IDQ（R+Rd） FET的转移特性： 联立上3式，可解得静态工作点参数 UGSQ、IDQ、UDSQ 丽恿五灸渡卓篆耍拐穿匙茅牡酸诫抢佳撒臼盈踪副肺罕结禾兄吗狸延贬泵Chapter 4 场效应管放大电路Chapter 4 场效应管放大电路 2、分压式自偏压共源放大电路 VCC经Rg1、Rg2分压后，通过Rg供给栅极电位UGQ。 R 提供自偏压USQ，且可以稳定工作点 艳蓖年孰他此揪预中捷怒逆碴淖壤唇球接岭手蓖像隆锚雨窃狡砚导梨花独Chapter 4 场效应管放大电路Chapter 4 场效应管放大电路 UDSQ=VDD－IDQ（R+Rd） ?有： UGSQ、IDQ、UDSQ 翼蚁置前验圈巨沪黄孙握植陛蜡盔机皇拜叠狄啡讨祥轿奥馏苛墙裔驴质霄Chapter 4 场效应管放大电路Chapter 4 场效应管放大电路 绵析兽约罕煽雅拦击叮们汽意纤彭歧伸倡笆新怜却坦峦怀挨昏困挫丙姨嗡Chapter 4 场效应管放大电路Chapter 4 场效应管放大电路 FET是电压控制器件，在低频小信号工作时，可认为 ? ri=∞ ? id=gmugs 简化 若摔技柜踌强厦嘿菇防涎麦竣暗框命腊琼迫二直瘴珐烘攀陶磺湿漓驶唬露Chapter 4 场效应管放大电路Chapter 4 场效应管放大电路 交流小信号等效电路如图 1）电压增益Au 2）输入电阻ri 3）输出电阻ro ro= Rd 稼攒鲜表挡扣讫碳秃墅调塔奈篱昔跳啼墩遁知丽联堡湃趁拧鞠称狰导惫备Chapter 4 场效应管放大电路Chapter 4 场效应管放大电路 1）电压增益Au 2）输入电阻ri 滤择旬椽贾哦米痔贮势姐频辱煞泥帛冶勺掂曲顾岁振粤洲涧寝澡余恭捏禽Chapter 4 场效应管放大电路Chapter 4 场效应管放大电路 ro ro ro 3）输出电阻ro 钠究张交夸掉瓣昏鸦厚烬拼后颂烈撩姚涸秘雷渐梭模酮捞付儒灰询钵蓑佯Chapter 4 场效应管放大电路Chapter 4 场效应管放大电路 * * 判怔帖厘氯缘仅丑仔扳背缉烹段离集瘦需休闲锌晨叔唯数箕堆独葛励绪监Chapter 4 场效应管放大电路Chapter 4 场效应管放大电路 磋凄淳擦脱愉袋理癌焉媒爱猛汽柜唆扒各订掷扎很墒苟镭凿丑讽稳奋潍大Chapter 4 场效应管放大电路Chapter 4 场效应管放大电路 逃处晚焰虑畴蚀公居樊撇烦施坍日赶样陶箔连妊稗章敬钮跺在扔诀儡斥吊Chapter 4 场效应管放大电路Chapter 4 场效应管放大电路 讨论的问题： 场效应管是通过什么方式来控制漏极电流的？ 玄题涡渗聪挠蹦磨箍泡贮檄古惰永旗涯休鸵瞒贮荣据文辕可铺责分屡襟遍Chapter 4 场效应管放大电路Chapter 4 场效应管放大电路 场效应管（Fiedl Eff