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实验十四 TTL、CMOS门电路参数及逻辑特性的测试 厦门大学 通信工程系 林XX 一.实验目的： 1、掌握TTL、CMOS与非门参数的测量方法； 2、掌握TTL、CMOS与非门逻辑特性的测量方法； 3、掌握TTL与CMOS门电路接口设计方法。 二.实验原理： (一)TTL门电路： TTL门电路是标准的集成数字电路，其输入、输出端均采用双极型三极管结构：凡是TTL器件特性均与TTL门电路具有相同特性，故需了解TTL门电路的主要参数。 7400是TTL型中速二输入端四与非门。图1是它的内部电路原理图和管脚排列图。 1、TTL与非门的主要参数： （1）输入短路电流：IIS： 与非门某输入端接地时，该输入端接入地的电流。 （2）输入高电平电流 IIH： 与非门某输入端接VCC（5V），其他输入端悬空或接VCC时，流入该输入端的电流。 TTL与非门特性如图2所示： （3）开门电平VON: 使输出端维持低电平VOL所需的最小输入高电平，通常以VO=0.4V时的Vi定义。 （4）关门电平VOFF： 使输出端保持高电平VOH所允许的最大输入低电平，通常以Vo=0.9VOH时的Vi定义。 阀值电平VT:VT=(VOFF+VON)/2 （5）开门电阻RON： 某输入端对地接入电阻（其他悬空），使输出端维持低电平（通常以VO=0.4V）所需的最小电阻值。 （6）关门电阻ROFF： 某输入端对地接入电阻（其他悬空），使输出端保持高电平VOH（通常以VO=0.9VOH所允许的最大电阻值）。 TTL与非门输入端的电阻负载特性曲线如图3所示。 （7）输出低电平负载电流IOL：输出保持低电平VO=0.4V时允许的最大灌流（如图4）； （8）输出高电平负载电流IOH：输出保持高电平VO=0.9VOH时允许的最大拉流； （9）平均传输延迟时间tpd： 开通延迟时间tOFF：输入正跳变上升到1.5V相对输出负跳变下降到1.5V的时间间隔； 关闭延迟时间tON：输入负跳变上升到1.5V相对输出正跳变下降到1.5V的时间间隔； 平均传输延迟时间：开通延迟时间与关闭延迟时间的算术平均值。tpd=（tON+tOFF）/2 TTL与非门平均传输延迟时间示意图如图6所示。 2、TTL与非门的电压传输特性： TTL与非门的电压传输特性是描述输出电压VO随输入电压Vi变化的曲线，如图7所示。从Vi~Vo曲线中，形象地显示出VOH,VOL,VON,VOFF,VT之间的关系。 (二)CMOS门电路： COMS门电路是另一类常用的标准数字集成电路，其输入、输出结构均采用单极型三极管结构，凡COMS电路特性均具有CMOS门电路形同的特性。C4011是CMOS二输入端四与非门。 下图是内部电路原理图和管脚排列图。 CMOS门电路的主要参数： （1）由于CMOS门电路输入端具有保护电路和输入缓冲，而输入缓冲为CMOS反相器，为电压控制器件，故当输入信号介于0~Vdd时，Ii=0；多余输入端不允许悬空； （2）输出低电平Iol ：使输出保持电平Vo=0.05 V时允许的最大灌流； （3）输出高电平负载电流Ioh ：使输出保持高电平Vo=0.9Voh时的最大拉流； （4）平均传输延迟时间Ty ：同TTl门电路定义。 CMOS门电路的电压传输特性 与非门的逻辑特性 输入有低，输出就高；输入全高，输出就低。 TTL电路与CMOS电路的接口设计：（图见书上） Voh（min）=V1h(min) Vol(max)=Vil(max) Ion(max)=nIih(max) Iol(max)=mIil(max) 实验仪器 示波器，函数信号发生器，“四位半”数字多用表，多功能电路实验箱 实验内容 1、TTL、CMOS与非门主要参数的测量 （1）IIS、VOH、IIH、VOL： 实验电路如图，将输入端2串接电流表“A”到地，此时电流表指示值为IIS。电压表指示值为VOH。实验电路如图13所示，将输入端2串接电流表“A”到电源，此时电流表指示值为IIH，电压表指示值为VOL（测量VOH时应接模拟负载电阻2K，测量VOL时应接入模拟灌流电阻390欧姆）。 TTL、CMOS与非门灌流负载能力测试： 实验电路如图13所示。电流表量程置200mA。将Rw组建缩小，当输出电压上升到0.4v（CMOS）为0.5V时，电流表测量值为IOL。 TTL、CMOS与非门拉流负载能力测试 实验电路如图14所示。电流表量程20mA，将Rw组建缩小，当输出电压下降到0.9VOH时，电流表测量值为IOH。 TTL、CMOS与非门平均传输延迟