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第5章 存储器和I/O空间 5.1 片内存储器 5.2 程序存储器 5.3 数据存储器 5.4 I/O空间 5.5 外部存储器接口选通信号说明 5.6 等待状态发生器 5.7 外部存储器接口 作业：14） 240x片内包含哪些存储器 15）程序存储空间的映射 16）数据存储空间的映射 5.1 片内存储器 1) 熟悉DSP的存储器映射及存储空间分配非常重要 DSP芯片内部，已经对各部分存储器空间进行了分配，各个部分均有指定的应用条件。 2）必须按照要求正确设计存储器的映射 如程序存储空间的0000h－003Fh为内部中断的向量表空间，该区间只能存储向量表，而不可存储任何其他内容，否则，中断系统将无法工作。 如程序存储空间、数据存储空间及I/O空间都有一些系统保留空间，用户不允许使用。 再如，有些地址范围是特定的内部存储器(如ADC、SCI、SPI等)指定的地址空间，禁止占用的，只允许进行访问。 还有，有些空间专用于外部存储器扩展。 5.1 片内存储器 240x 存储空间 192K 程序 存储空间 64K 数据 存储空间 64K I/O 空间 64K 地址：0000h~FFFFh 程序、数据、I/O，不同指令支持访问 三者没有固定界限，有时可互为映射。 在任何一个存储空间，RAM、ROM或存储器映射外围设备都可驻留在片内或片外 CPU可以访问的空间，最大是三者的和。 存储空间是抽象的，与存储器不同，存储 器是存储空间的物理实现。 为了提高访问速度和稳定性，DSP内部一 般都实现了存储器。 240x所有内部和外部程序存储器及内部和外部数据存储器分别统一编址，16位地址线，可分别访问三个独立的地址空间。 5.1 片内存储器 RAM 544字DARAM (保存数据) B0(256字) CNF=0,映射到数据存储空间 CNF=1，映射到程序存储空间 B1(256字) B2(32字) 2K SARAM 不同条件下，可映射到数据存储空间或程序存储空间 4个控制方式寄存器，决定2种访问模式 Flash ROM Flash ROM 2）Flash 2407上电时采样引脚MP//MC， 如果为低电平（微型计算机方式），程序将从片内Flash的0000h地址开始执行； 如果为高电平（微处理器方式），程序将从片外ROM的000h地址开始执行。 工作电压3.3V，编程电压5V（VCCP引脚）。 5.2 程序存储空间 若MP//MC=0, 32K片内Flash 若MP//MC=1,外部ROM 中断向量表 0000h 0002h 0004h 0006h 0008h 000Ah 000Ch 000Eh 0010h 0022h 0024h 0026h 0028h 003Fh 软件中断 Reset INT1 INT2 INT3 INT4 INT5 INT6 保留 软件中断 TRAP NMI 保留 0h 03Fh 040h 044h 0FFFh 1000h 4000h 7000h 8000h 87FFh 8800h FE00h FF00h FFFFh 系统保留或外部 片内DARAM(B0)或外部(CNF) Flash扇区0(4K) 中断向量表 保留（-0043h） 用户代码起始 Flash扇区1(12K) Flash扇区1(12K) Flash扇区1(4K) 片内SARAM(2K) PON内部或外部 外部扩展空间 程序存储空间的映射受到3个控制位的影响 1）MP//MC，决定是使用片内程序存储器还是片外程序存储器； 2）CNF,决定片内DARAM(B0)是否映射到程序空间，=1映射； 3）PON,决定片内SARAM是否映射到程序存储空间，=1映射。 5.2 程序存储空间 程序存储空间的映射使用 1) 系统复位后指向0000h(复位中断向量)处，一般该处设计一条跳转指令使CPU自动转入用户程序的入口。 2）开发阶段，应设置MP//MC引脚为1，从片外ROM执行程序；调试完后脱机运行时，应设置MP//MC引脚为0，从片内Flash存储器运行程序。MP//MC电平的高与低可以跳线选择。 3）开发阶段，也可扩展一个SRAM作为片外程序存储器以存储被调试的软件代码，以避免频繁对片内FLASH的写操作。这样做的好处是既可节省开发时间，又可延长芯片的使用寿命。 4）将DSP程序空间选择引脚与片外扩展Flash芯片的片选信号相连，可以使Flash处于程序空间。 2407指令系统专门设置了2条读、写程序存储空间数据的指令，可利用片外Flash作为数据存储器，存储有