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2013,02-06 * 半导体物理基础 Lecture 3 一、非平衡载流子的产生与复合二、准费米能级三、非平衡载流子的复合机制 四、非均匀半导体中的自建电场 五、半导体中的基本控制方程 半导体的平衡态并不是总能成立的，如果某些外界因素，如光照等，作用于平衡半导体上，此时，平衡态条件就被破坏，样品处于偏离平衡态的状态，称为非平衡态。 光子能量 一、非平衡载流子的产生与复合 1. 基本概念 （1）光照后半导体载流子的就不再是n0 和p0，而是分别多了Δn和Δp ，并且Δn=Δp 。多出的这部分载流子就称为非平衡载流子。光照后的非平衡半导体中电子的浓度是：n= n0+Δn， p= p0 + Δp 。 如果Δn n0 ,Δp n0满足这样的注入条件称为小注入。 光照产生非平衡载流子的方式称做非平衡载流子的光注入，此外还有电注入等形式。 !Δp (如果注入为1010） （2）在N型半导体中，虽然Δnn0 (1015)，但有Δpp0 (105) ，因而相对来说非平衡多子的影响较弱，而非平衡少子的影响起主要作用。通常说的非平衡载流子都是指非平衡少子。 （4）当产生非平衡载流子的外部作用撤除后，非平衡载流子也就逐渐消失，半导体最终恢复到平衡态，这个过程也就是非平衡载流子逐步消失的过程，称为非平衡载流子的复合。 （3）非平衡载流子的存在会使得半导体的载流子数量发生变化，会引起附加电导率： 外部作用撤除后，非平衡载流子生存一定时间后会消失，这个平均生存时间称为非平衡载流子的寿命τ 。主要考虑少子寿命。其倒数就表示单位时间内非平衡载流子的复合几率。 复合率：为描述非平衡载流子的复合速度，定义单位时间、单位体积内净复合消失的电子-空穴对为非平衡载流子的复合率。 2. 非平衡载流子的寿命 对于N型半导体， 非平衡少子浓度Δp(t) 因为复合，随时间变化，就是说非平衡载流子浓度随时间的变化率（减少是因为复合引起的）等于非平衡载流子的复合率，即： t = 0 时刻的非平衡载流子浓度 复合率 单位时间浓度的减少： 非平衡载流子的平均生存时间是： 非平衡载流子的寿命就是其平均生存时间，特例： 二、准费米能级 由于存在外界因素作用，非平衡态半导体不存在统一的费米能级。但分别就导带和价带的同一能带范围而言，各自的载流子带内热跃迁仍然十分踊跃，在极短时间内就可以达到各自的带内平衡而处于局部的平衡态。因此，统计分布函数对导带和价带分别适用。为此引入导带电子准费米能EFn 和价带空穴的准费米能级EFp。类似平衡态分析方法： 只要非简并条件成立，该式就成立 E-EFkT 分别是相应的准费米势 (2-1) (2-2) 1、无论电子或空穴，非平衡载流子越多，准费米能级偏离平衡态Ei的程度就越大，EFn更靠近导带底EC，EFp更靠近价带顶EV ，两种准费米能级偏离平衡态的程度不同。 2、小注入时，多子费米能级和Ei偏离不多，而少子费米能级和EF偏离较大。这是因为： 上式表明： 两式相乘得： 在热平衡条件下有： 表明：两个准费米能级之差反映了非平衡态载流子浓度与平衡态载流子浓度相差的程度，准费米能级相差越小，就越接近平衡态，相反就越偏离平衡态。 非平衡态载流子是半导体器件工作的基础 (2-3) 三、非平衡载流子的复合机制 非平衡载流子的寿命取决于非平衡载流子的复合过程。 (1) 按复合过程中载流子跃迁方式不同分为： 直接复合：电子在导带和价带之间的直接跃迁而引起的电子-空穴的消失。 间接复合：电子和空穴通过禁带中的能级（复合中心）进行的复合。 (2) 按复合发生的部位分体内复合和表面复合。 (1) 直接复合 设r是电子－空穴复合几率（复合系数），则其复合率可以表示为： 电子、空穴的浓度 在一定温度下，r 是确定的值，与电子、空穴的浓度无关 (3-1) 对于复合的逆过程即产生过程，在一定温度下价带中的每个电子都有一定几率激发到导带而形成一对电子空穴，如果价带缺少一些电子而导带存在一些电子，按泡利不相容原理，则产生率就会受到影响，非简并半导体中电子和空穴数量相对于总状态是极微小的，因此，可以认为价带是满的而导带是空的，也就是说非简并半导体的非平衡载流子的产生率基本不受电子n 空穴 p 浓度的影响，即有： 产生率 = G = 常数 产生过程 热平衡态时，产生率等于复合率，即： 非平衡态净复合率U显然是复合率与产生的差，即有： 净复合率 (3-2) (3-3) (3-4) 净复合率与寿命的关系是： 寿命： 在小注入时有： 如果： 则： 复合过程中