电工学2习题.doc

填空题 1、杂质半导体中，P型半导体是在纯净半导体中掺入 3价元素 而形成，它的导电能力大大高于本征半导体。其中多数载流子为 空穴 。 2、PN结的特点是：单向导通（正向导通反向截止）。稳压二级管在稳压时是工作在 反向击穿 状态。 3、在放大电路中，若测得某晶体管三个极的点位分别为-9V，-6.7V，-6V，则可以推断这三个级分别为 集电极 ， 基极 和 发射极 。 4、在多级放大电路中，为了使放大电路的信号与负载间有良好的匹配，以使输出功率尽可能加大，放大电路应采用 直接 耦合方式。为了抑制这种耦合方式带来的零点漂移现象，通常采用 差分放大 电路来抑制这种现象。 5、理想集成运算放大器的放大倍数AU= 无穷 输入电阻ri= 无穷 ，输出电阻RO= 0 。 6、逻辑代数运算法则中： A , , A 。 7、三极管具有放大作用的外部条件是：发射结 必须正向 偏置，集电结 必须反向 偏置。 8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为 共模 信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为 差模 信号。 9、射极输出器的的特点是：电压放大倍数 1 ，输入电阻 大 ，输出电阻 小 ，所以常用在缓冲级、输入级或输出级。 10、理想集成运算放大器同相输入端 接地 时，则称反相输入端为 虚地 端。 二、单项选择题 1、对某电路中一个NPN型硅管进行测试，UBE0，UBC0，UCE0，则此管工作在（ B ）。 A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D不能判断 2、晶体三极管工作于放大状态时，（ A ）。 A．发射结正偏，集电结反偏 B．发射结正偏，集电结正偏 C．发射结反偏，集电结反偏 D．发射结反偏，集电结正偏 3、边沿触发器中，在CP时钟的作用下，具有置0、置1、保持、翻转四种功能的触发器是（ C ）。 A．D触发器 B．RS触发器 C．JK触发器 D．T触发器 4、下列逻辑电路中，不属于组合逻辑电路的是（ D ）。 A.编码器 B.译码器 C.全加器 D寄存器 5、P型半导体的主要导电方式是（　C　）。 A. 正离子的运动 　B. 负离子的运动　　 C. 价电子递补空穴形成的空穴运动 D. 自由电子的运动 6、欲测单相桥式整流电路的输入电压Ui及输出电压U0，应采用的方法是( D )。 A. 用直流电压表分别测Ui及U0 B. 用交流电压表分别测Ui及U0 C. 用直流电压表测Ui，用交流电压表测U0 D. 用交流电压表测Ui，用直流电压表测U0 8、图(1)示电路中，VA＝3V，VB＝0V，若二极管的正向压降忽略不计，则VF为（　D　　）。 A. -12V B. -9V C. 0V D. 3V 9、图(2)示逻辑门电路所对应的逻辑关系式为（ C ）。 A. F=A+B B. F=A·B C. F= D. F= 图(1) 图(2) 图(3) 10、图（3）示理想运算放大器电路中，电流I值为（　C　　）。 A. -1mA B. 0 C. 1mA D. 无法确定 11、图（4）中（a）所示JK触发器，其时钟脉冲CP及J、K输入波形如（b）所示，其Q端的输出波形为（ D ）。 图（4） 12、理想二极管的正向电阻为（ A ）。 A、零 B、无穷大 C、约几千欧 D、约几百千欧 13、电路如图5所示，二极管D1，D2，D3均为理想元件，则输出电压u0＝（ A ）。 A、0V B、－6V C、－18V D、—12V 图5 图6 14、 一个NPN管在电路中正常工作，现测得UBE0，UBC0，UCE0，则此三极管工作区为（ B ）。 A、 截止区 B、 饱和区 C、 放大区 D、不能确定 15、直接耦合放大电路产生零点漂移的最主要原因是( A )。 A、温度的变化 B、电源