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共源串联反馈式介质 振荡器的设计 [摘要] 本文描述了应用介质谐振器稳频的共源串联反馈式介质振荡器的设计方法，稳频原理及结构。根据理论，实际制作的X波段的具有较高频率稳定度的振荡器，经过测试，设计满足要求，工作稳定可靠。 1.引言 介质稳频FET振荡器是利用微波介质谐振器作为高Q腔，对FET振荡器进行稳频的振荡器，通常简称为DRO。它在1GHz到几十GHz的频率范围内，可以直接产生所需的振荡频率，而不需要倍频，具有体积小，结构简单的特点。低损耗介质谐振材料已有很大进展，介质谐振器Q值已接近金属空腔谐振器。因此，振荡器的相位噪声较低，介质振荡器的温度系数很容易控制，可以与FET电路互相补偿，使介质振荡器具有很高的频率稳定度。因此，介质振荡器已广泛用于各类微波系统中。 2.振荡器的设计 介质稳频FET振荡器，具有共栅极、共源极及共漏极三种振荡电路形式。高Q介质腔作为振荡电路中的一个元件，也可以作为反馈电路元件和振荡电路负载的一部分。根据DR对振荡电路的不同耦合方式和所起的作用通常有三种电路来实现：输出反射式、环路反馈式、栅极耦合式。 2.1设计框图 设计框图如图1所示。这类振荡器可以视为具有正反馈的FET放大器，其DR作为确定频率的正反馈元件。介质谐振器放置在漏极与栅极之间，其主模TE01δ同这两根微带线产生耦合。 作为三端口器件，FET的结构示于图2，其入射波和反射波的S矩阵给出为： 图1.串联反馈的结构 图2. 作为三端器件的FET管 图3. Z3的确定 （1） 端口1、2和3分别代表栅极、漏极和源极。 设计步骤的第一步是确定图3的阻抗Z3。当阻抗Z3信号源端连接时，反射系数Γ3 成为 （2） 带入式（1）得到 （3） 在式（3）到中消去b3，退化所得的两端口S矩阵给出如下： （4） 2.2 DR与微带线间的耦合 DR与微带线间的耦合如图 所示。 图 所示的二端口网络的[S]参数为： （5） 当谐振时： （6） 利用下列关系式： （7） 来确定使漏极端口反射系数为最大的反射系数的数值。该情况下的反射系数由耦合到一段微带线DR来实现，并由耦合系数以及晶体管平面与谐振器平面之间的距离来实现 图4. DR与微带线的耦合 2.3 DR谐振频率的计算 微波稳频振荡器中采用的介质谐振器通常是长度小于直径的圆柱体，也有采用矩形的或有利于抑制高次模圆环形的DR等。作为振荡器应用，最关心的问题是它的谐振频率如何确定。也就是说给定DR尺寸如何计算谐振频率或给定谐振频率如何选择适当尺寸的DR问题。如同其它金属空腔谐振器一样，DR中可能激励多种模式，对圆柱形DR常用模式是TE01δ。这种DR的几何形状虽简单，但严格求解却比金属空腔难得多。通过对孤立DR采用复杂的表面积分方程，并对TE01δ模进行数值解后，并由曲线拟合可得自由空间孤立DR的谐振频率f的简单估算公式： （8） 式中 D是DR的半径（mm）；L是长度（mm）；εr是相对介电常数。利用该式，在满足0.5D/L2和30εr50条件下其计算精度可达2%。 实际的DR并不是孤立的开放的形式出现。在微波集成振荡器中DR是放在相对介电常数比εr低的MIC衬底上，附近有微带线和有源器件，并置于金属屏蔽盒内，这使得TE01δ模的电磁场分布改变，频率的计算更为复杂。 2.4输出匹配电路设计 如图 5所示，当谐振时振荡器输出阻抗与负载阻抗的关系： ， （9） 一般来说ZL =50Ω，令匹配线的特性阻抗、电长度分别为Z0、L3，可得出与Z0、L3与Rout及Xout的关系： Z0 n=1、2、3,…… （10） DRO的调谐方式 DRO的频率调节可用机械方法或电气方法来实现。其机械调谐机构如图6所示，这里利用了一个现象：DR的谐振频率对屏蔽十分敏感，也就是对接地板的靠近程度十分敏感。金属盘与介质谐振器之间的距离减小时，介质谐振器的谐振频率将升高。 图5. DR的输出匹配 图6. DR的机械调谐 设计与实验结果