实验十六CCD性能指标的测试.docVIP

实验六 CCD性能指标的测试 一、CCD 成像原理 1．CCD是电耦合器件 组成电荷耦合器件的基本元件(光敏元件)是电荷贮存电容器。它与电子线路中的金属氧化物半导体电容器(MOS)电路非常相似，见图sh16.1。MOS是由金属、氧化层（绝缘层）、P型半导体三层材料组成的器件。电偶合器件的基本单元内金属层做成电极，在P型半导体上加上正电压（VG）并达到某个特定值（Vh）后，在半导体层内会形成一个电荷贮存区（也叫位阱），这时，如有光照，则该区内会有电荷积累，且其电荷数量与光辐射强度成正比。每一个电荷贮存电容器中电荷贮存区所积累的电荷，与相应像元的光强相对应成正比，那么所有元件电荷贮存的分布情况便对应于观测对像的一个二维电子潜像。 图sh16.1 MOS的三层结构 2．CCD的信号读出 如何将二维电子潜像读出并重建观测图像呢？在CCD器件中信息的读出是采用了一种电荷耦合的方法。假定图sh16.1是CCD器件中某列的一组MOS管，在该图所示的偏压情况下，MOS管处于工作状态。但因第二个电极上电压为+10V，无疑该电极下的表面位阱的深度要远远大于其它电极，光生电荷（电子）将被储存在这一深位阱之中[图sh16.2（a）]。但是，若我们把第三个电极电压由2V增加到10V[图sh16.2（b）]，那么其电极下的表面位阱的深度就会和第二电极下的位阱一样，并且由于相距很近使两个位阱相互耦合