微电子学概论.docxVIP

第一章绪论1946年第一台计算机：ENIAC1947年12月23日第一个晶体管:巴丁、肖克莱、布拉顿集成电路：通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能达默第一个提出集成电路的设想，1958年德克萨斯仪器公司基尔比研制除了第一块集成电路集成电路芯片的集成度每三年提高4倍，而加工特征尺寸缩小 倍，这就是摩尔定律集成电路按器件结构类型分类：双极集成电路：主要由双极晶体管构成NPN型双极集成电路PNP型双极集成电路金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路：主要由MOS晶体管(单极晶体管)构成NMOSPMOS CMOS(互补MOS) 双极-MOS(BiMOS)集成电路：同时包括双极和MOS晶体管的集成电路为BiMOS集成电路，综合了双极和MOS器件两者的优点，但制作工艺复杂 按结构形式的分类：单片集成电路：它是指电路中所有的元器件都制作在同一块半导体基片上的集成电路在半导体集成电路中最常用的半导体材料是硅，除此之外还有GaAs等混合集成电路：厚膜集成电路薄膜集成电路按电路功能分类：数字集成电路(Digital IC)：它是指处理数字信号的集成电路，即采用二进制方式进行数字计算和逻辑函数运算的一类集成电路模拟集成电路(Analog IC)：它是指处理模拟信号(连续变化的信号)的集成电路线性集成电路：又叫做放大集成电路，如运算放大器、电压比较器、跟随器等非线性集成电路：如振荡器、定时器等电路数模混合集成电路(Digital - Analog IC) ：例如数模(D/A)转换器和模数(A/D)转换器等第三章第四章集成电路的集成度，功耗延迟积，特征尺寸是描述集成电路性能的几个重要指标特征尺寸：指集成电路中半导体器件的最小尺度图形转换：光刻：光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机；光刻胶：光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变正胶：曝光后可溶；负胶：曝光后不可溶；几种常见的光刻方法：接触式光刻，接近式曝光，投影式曝光，超细线条光刻技术甚远紫外线(EUV) 电子束光刻X射线离子束光刻化学汽相淀积(CVD)：通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程CVD技术特点：具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等单晶硅的化学汽相淀积(外延)：一般地，将在单晶衬底上生长单晶材料的工艺叫做外延，生长有外延层的晶体片叫做外延片二氧化硅的化学汽相淀积：可以作为金属化时的介质层，而且还可以作为离子注入或扩散的掩蔽膜，甚至还可以将掺磷、硼或砷的氧化物用作扩散源低温CVD氧化层：低于500℃中等温度淀积：500～800℃高温淀积：900℃左右多晶硅的化学汽相淀积：利用多晶硅替代金属铝作为MOS器件的栅极是MOS集成电路技术的重大突破之一，它比利用金属铝作为栅极的MOS器件性能得到很大提高，而且采用多晶硅栅技术可以实现源漏区自对准离子注入，使MOS集成电路的集成度得到很大提高。氮化硅的化学汽相淀积。第六章集成电路设计集成电路设计：也称芯片设计。根据电路功能和性能的要求；正确选择系统配置、电路形式、器件结构、工艺方案和设计规则；尽量减小芯片面积，降低设计成本，缩短设计周期；保证全局优化，设计出满足要求的集成电路。集成电路 =物理基础 + 制造工艺 + 电路设计。集成电路的设计特点（和分立器件比较）将有源元件和无源元件集成在同一个衬底上，几何尺寸受设计者控制；对设计的正确性更为严格，无法用电路试验板验证，使用计算机仿真；设计受工艺水平的约束；引脚有限，检测困难；特有的布局、布线及版图设计；层次化设计(Hierarchical Design)及模块化设计(modularization Design)。集成电路设计：由高层次描述向低层次描述展开的过程。设计信息描述和相应的设计过程一般采用自顶向下(top-down)的设计过程，主要包括三个阶段：功能设计（Behavioral Design）逻辑和电路设计（Logic and Circuit Design）版图设计（Physical Design）数字集成电路的设计思想、典型设计过程、主要阶段两种集成电路设计规则以为单位：把大多数尺寸（覆盖，出头等等）约定为的倍数。与工艺线所具有的工艺分辨率有关，线宽偏离理想特征尺寸的上限以及掩膜版之间的最大套准偏差，一般等于栅长度的一半。