磁阀式与磁控式可控电抗器比较.docVIP

磁阀式可控电抗器 磁阀式可控电抗器技术原理： 磁阀式可控电抗器，两个芯柱上对称地绕N/2匝数的绕组；每一绕组各有N2／N的抽头，之间接有晶闸管T1和T2，两个绕组交叉联接后并至电网，二极管D用于续流。当T1、T2均不导通时，电抗器相当于空载变压器；在电源电压正负半周内轮流触发T1、T2，则在绕组回路中产生直流偏磁电流。该控制电流产生直流磁通使铁芯饱和，可控电抗器等值容量增大。调节晶闸管触发角的大小以改变铁芯磁饱和度，从而达到控制电抗器容量的目的。 磁阀式可控电抗器结构示意图： 磁阀式可控电抗器，具有： 晶闸管控制电压低 可靠性高 占地面积小 免维护 制造和维护成本低 抑制过电压能力强等优点； 但是，磁阀式可控电抗器，也存在着铁芯的硅钢片长期工作在过饱和区域，铁芯损耗大、温升高、噪声大、铁芯截面利用率低、结构和加工工艺十分复杂等问题。致使磁阀式可控电抗器这项先进技术，长期以来，未能在电网中广泛的推广应用。 磁控式可控电抗器 磁控式可控电抗器技术原理： 绕组N1、Nk是自耦式，Nk是绕组N1的一部分，Nk的匝数是N1的1～2 %；可控硅T1、T2连接在绕组Nk的两端，其上的电压比较低，仅为系统电压的1～2 %，数量一般为1只串联，保证了可控硅运行的可靠性。 电源电压正半周，触发导通可控硅T1，在回路中产生励磁电流；电源电压负半周，触发导通可控硅T2，也在回路中产生励磁电流；一个周期内电源电压轮流触发导通可控硅T1、T2，经过二极管续流，产生连续的励磁电流。 励磁电流的大小取决于可控硅控制导通角а，а越小产生的励磁电流越大，使电抗器处于励磁程度低的区域铁芯的磁化程度加强，同时,使处于励磁程度高的区域铁芯的磁化程度也加强，电抗器电抗值变小而输出电流变大。 由此，实现了通过改变可控硅导通角а，可以平滑调节电抗器的容量；并且，可以根据设定铁芯的励磁磁化程度，以满足电抗器对调节速度的要求。 磁控式可控电抗器技术特点 （1）磁路和电路均为对称结构，直流助磁结构简单，铁心中的直流和交流励磁，各自形成回路，结构合理； （2）铁心磁密不饱和，对称结构互相不干扰，铁心损耗小，噪音低；伏安特性，近似直线（硅钢片磁化曲线的线性段）；本体基本上不产生谐波，控制回路产生的少量谐波，由于采用Δ接线，不向系统输出； （3）漏磁通在铁心内得到有效自屏蔽，在线圈和油箱中产生附加损耗小，总损耗小；自身有功损耗占容量的0.5％～2％，是磁阀式电抗器或相控电抗器的1/3以下。 （4）自励磁，体积小，用料少，成本低。 （5）应用高压绝缘技术，实现了磁控电抗器在110、220、500kV电压等级的应用； （6）可以设计成油浸式、环氧浇注干式等单相、三相磁控电抗器； （7）可靠性高：内部为全静态结构，无运动旋转部件，使用的材料是高导磁冷轧硅钢片、铜质或铝质导线、油纸绝缘技术等，和电力变压器用的材料基本相同，工作可靠性高。和TSVC比较：可靠！MCR中可控硅或二极管，即使被击穿，磁控电抗器仅相当于一台空载变压器在运行，不影响系统的其他装置的运行； （8）用户投资省：比TCR型SVC省30% ； （9）安装方便，占地面积小（是TSVC的1/10），基本上不需要维护； （10）采用变压器生产工艺，成熟可靠； （11）电抗器调节范围大： 1％～100％。 （12）无污染：TCR型SVC，辐射大量工频磁场，对人体危害。 （13）过载能力强：可短时过载150%，磁阀式和TSVC则不允许过载。