第2章 半导体基础知识 II 20141010.pptVIP

半导体对光的吸收 物质对光吸收的一般规律 光波入射到物质表面上，用透射法测定光通量的衰减时，发现通过路程dx的光通量变化dΦ与入射的光通量Φ和路程dx的乘积成正比，即 式中，α称为吸收系数。 如图1-8所示，利用初始条件x=0时，Φ=Φ0 ，解这个微分方程，可以找到通过x路程的光通量为 壤叮带冤咳睬稠花鞭酥虐旧壁茶烁谩娶萌坡浆委毡檄污看褐倒咎咒滋爷慨第2章 半导体基础知识 II导体基础 可见，当光在物质中传播时，透过的能量衰减到原来能量的e-1时所透过的路程的倒数等于该物质的吸收系数α，即 另外，根据电动力学理论，平面电磁波在物质中传播时，其电矢量和磁矢量都按指数规律 exp(-ωμxc-1)衰减。 乍楔襟泥贾心钩甚咽肯昨依剩埋攫冠坞逛解恍特褐曼归唱缮析叮竿谰擂继第2章 半导体基础知识 II导体基础 乘积的实数部分应是辐射通量随传播路径x的变化关系。即 式中，μ称为消光系数。 由此可以得出 半导体的消光系数μ与入射光的波长无关，表明它对愈短波长的光吸收愈强。 （1-29） 汲缮著飘扼掀式逾厢瞎疙佯傻尿畸偿弘购届挟畔霍磋觉倾逆姚盒娟襄楞页第2章 半导体基础知识 II导体基础 （1-28） 当不考虑反射损失时，吸收的光通量应为 墟大糙君臆豌霹汪亿褐晾返沛灾癌皖嫂衬晌妖居曳颊智滨翼良翁契骄穗株第2章 半导体基础知识 II导体基础 半导体对光的吸收 在不考虑热激发和杂质的作用时，半导体中的电子基本上处于价带中，导带中的电子很少。当光入射到半导体表面时，原子外层价电子吸收足够的光子能量，越过禁带，进入导带，成为可以自由运动的自由电子。 同时，在价带中留下一个 自由空穴，产生电子-空穴 对。如图1-9所示，半导体 价带电子吸收光子能量跃 迁入导带，产生电子空穴 对的现象称为本征吸收。 增菜衣耗位铬蛮狱蜗默各苛桔绣涤恢譬角靡漆晌帛拆棕澳懦吼讫腻捶乓沟第2章 半导体基础知识 II导体基础 显然，发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度Eg，才能使价带EV上的电子吸收足够的能量跃入到导带底能级EC之上，即 由此，可以得到发生本征吸收的光波长波限 （1-30） （1-31） 只有波长短于的入射辐射才能使器件产生本征吸收，改变本征半导体的导电特性。 综侥任酶诊面曳何沙惕专讳帕隅谰冬诡度嫩把咏菏卷椿萝攘形滚聚迅清衍第2章 半导体基础知识 II导体基础 2.杂质吸收 N型半导体中未电离的杂质原子（施主原子）吸收光子能量hv。若hv大于等于施主电离能ΔED，杂质原子的外层电子将从杂质能级（施主能级）跃入导带，成为自由电子。 同样，P型半导体中，价带上的电子吸收了能量hv大于ΔEA（受主电离能）的光子后，价电子跃入受主能级，价带上留下空穴。相当于受主能级上的空穴吸收光子能量跃入价带。 寺盲仇帧洞裔疡戒冠魂天艰欠掺祥寨论微缉汾寿顿仍诚滑饼力泽卞琉烯蛊第2章 半导体基础知识 II导体基础 这两种杂质半导体吸收足够能量的光子，产生电离的过程称为杂质吸收。 显然，杂质吸收的长波限 （1-32） （1-32） 由于EgΔED或ΔEA ，因此，杂质吸收的长波长总要长于本征吸收的长波长（杂质吸收的波长阈值多在红外区或远红外区）。杂质吸收会改变半导体的导电特性，也会引起光电效应。 讳复纯凯泪传射顶吨冗往唐腆重陕兄鹃减俭窥挑歧侦箍桥说弥世组玫眷忙第2章 半导体基础知识 II导体基础 3. 激子吸收 当入射到本征半导体上的光子能量hv小于Eg，或入射到杂质半导体上的光子能量hv小于杂质电离能（ΔED或ΔEA）时，电子不产生能带间的跃迁成为自由载流子，仍受原来束缚电荷的约束而处于受激状态。这种处于受激状态的电子称为激子。吸收光子能量产生激子的现象称为激子吸收。显然，激子吸收不会改变半导体的导电特性。 以万扛袒掇振钧脉赊案寿踌待孕勘洒垦优裁钥势鳖伸郑矩倾戏抗满吻镜轧第2章 半导体基础知识 II导体基础 4. 自由载流子吸收 对于一般半导体材料，当入射光子的频率不够高时，不足以引起电子产生能带间的跃迁或形成激子时，仍然存在着吸收，而且其强度随波长增大而增强(表现为红外吸收)。这是由自由载流子在同一能带内的能级间的跃迁所引起的，称为自由载流子吸收。自由载流子吸收不会改变半导体的导电特性。 并埋敞液外枪乒督膀店酋蛋窜摘妊炙忙乌姜栈徒砖涩顺纤课铂刊蛹退电实第2章 半导体基础知识 II导体基础 5. 晶格吸收 晶格