射频反应磁控溅射制备VOx薄膜.docVIP

全部作者： 李建峰 吴志明 王涛 魏雄邦 黎威志 第1作者单位： 电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室 论文摘要： 本文采用射频反应溅射法制备了VOx薄膜,重点研究了氧分压对薄膜电学性能的影响，在低真空中330 ℃低温退火得到了高性能的VOx 薄膜，制得了具有电阻温度系数较高（-3.97%）和方阻较小的VOx薄膜, 并采用X光电子能谱分析仪XPS 对薄膜的结构及成分进行了分析，经分析计算得到其化学计量式为VO1.9。 关键词： VOx薄膜；射频反应溅射；电阻温度系数 (浏览全文) 发表日期： 2008年04月11日 同行评议： 该文研究了溅射条件主要是氧分压对VOX薄膜电学性能的影响，虽然取得了1些有意义的结果，但总得来说不具有创新性。在论文写作中，有1些基本的错误，比如：（1）XPS不能用来分析材料的结构，但在摘要中作者声称用XPS分析了薄膜的结构。（2）在第2页中，有1段这样的描述：在氧分压0.3％,......,金属钒没有产生反应......。首先，“金属钒没有