信噪失真比（dB）-Hycoproducts.com.pptVIP

内容 Testbench 工艺离散性的克服 电阻离散的影响 电容离散的影响 频率离散的校正 模拟IC低功耗设计技术 浙大微电子 */41 浙大微电子 模拟IC低功耗设计有效方法--亚阈值IC Vin MOS管工作在亚阈值状态: VGS= 0.6 V Vth = 0.68 V Vin Vout 1.2 V 0.6 V Vout 0.6V Vin Vout 数字电路工作区 模拟电路工作区 1 1 0 0 C类反相器 * 浙大微电子 亚阈值区IC 受工艺涨落影响显著 运放 工艺涨落 增益(dB) 单位增益带宽(MHz) 静态功耗(μW) 常规反向器(VDD = 1.8V) ff 28 -5% 　 　 11 % 　 　 585 40% 　 　 78 % 　 　 5490 67% 　 　 113 % 　 　 snfp 30 5% 416 0% 3122 -5% tt 29 418 3293 fnsp 27 -7% 419 0% 3460 5% ss 30 5% 259 -38% 1760 -47% 考查：不同工艺角对该放大器性能的影响（Vth=0.68V） 亚阈值反向器（VDD = 1.2V) ff 30 -2% 　 　 29 % 　 　 169 350% 　 　 436 % 　 　 224 464%