第1章常用半导体器件.ppt

模拟电子技术基础 第三版 童诗白 华成英 主编 课件制作 李雪梅 刁修睦 第一章 常用半导体器件 1.1 半导体的基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.6 集成电路中的元件 1.1.1 本征半导体 1.1.2 杂质半导体 1.1.3 PN结 1.1.1 本征半导体 一、半导体 物质按导电性能可分为导体、绝缘体和半导体。 半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间。 纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 二、本征半导体的晶体结构 晶体中的原子在空间 形成排列整齐的点阵， 称为晶 格。 运载电荷的粒子称为 　载流子。 本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电，这是半导体的特殊性质。 本征半导体中自由电子和空穴数目相等， 四、本征半导体中的载流子的浓度 半导体在热激发下产生自由电子和空穴对的现象称为本征激发。 自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。 在一定的温度下，本征激发所产生的自由电子与空穴对，在一定温度下，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。 五、 半导体的特性 1.1.2 杂质半导体 通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，便可得到杂质半导体。 一、N型半导体 在纯净的硅晶体中惨入五价元素，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。 自由电子的浓度大于空穴的浓度，故称自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子。 由于杂质原子可以提供电子，故称之为施主原子。 二、P型半导体 在纯净的硅晶体中惨入三价元素，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。 自由电子的浓度小于空穴的浓度，故称自由电子为少数载流子，空穴为多数载流子。 由于杂质原子可以俘获电子，故称之为受主原子。 1.1.3 PN结 采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在他们的交界面就形成PN结。PN结具有单向导电性。 一、PN结的形成 一、PN结的形成 三、ＰＮ结的电流方程 四、PN结的伏安特性 五、PN结的电容效应 PN结加正向电压时，主要体现为多子的扩散运动，在扩散区内，电荷的积累和释放过程与电容器充放电过程相同，这种电容效应称为扩散电容Cd 1.2.1 半导体二极管的几种常见结构 （1）最大整流电流IF： IF是二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。 （2）最高反向工作电压UR： UR是二极管工作时允许外加的最大反向电压，超过此值时，二极管有可能因反向击穿而损坏。 （3）反向电流IR： IR是二极管未击穿时的反向电流。 （4）最高工作频率fM： fM是二极管工作的上限频率。 1.2.4 二极管的等效电路 能够模拟二极管特性的电路称为二极管的等效电路。也称为等效模型。 一、由伏安特性折线化得到的等效电路 1.2.4 二极管的等效电路 1.2.5 稳压二极管 1.2.5 稳压二极管 (1)稳定电压UZ:在规定电流下稳压管的反向击穿 电压. (2)稳定电流IZ：稳压管工作在稳压状态时的参考 电流。 (3)额定功耗PZM：稳压管的稳定电压UZ与最大稳 定电流IZM的乘积. (4)动态电阻rz ：稳压管工作在稳压区时,端电压 变化量与其电流变化量之比。 (5)温度系数α：温度每变化1 ℃稳压值的变 化量. 1.2.6 其它类型二极管 1.2.6 其它类型二极管 1.2.6 其它类型二极管 1.3.2 晶体管的电流放大作用 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响 1.3.6 光电三极管 1.3.6 光电三极管 1.4.1 结型场效应管 二、 结型场效应管（JFET)的特性曲线 1.4.2 绝缘栅型场效应管 1.4.2 绝缘栅型场效应管 漏源电压uDS对漏极电流iD的控制作用 当uGS＞UT，且固定为某一值时，来分析漏源电压uDS对漏极电流 iD 的影响。 uDS 的不同变化对沟道的影响。 漏源电压uDS对漏极电流iD的控制作用 二、N沟道耗尽型MOS场效应管结构 1.4.3 场效应管的主要参数 1.4.4 场效应管与晶体管的比较 一、场效应管用栅-