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第3章 静电场及其边值问题的解法(1)； (2)； (3)； (4)。 解：已知空间的电位分布，由和可以分别计算出电场强度和体电荷密度。 (1) (2) (3) (4) （顶端▲） 3.6有和的两种电介质分别分布在和的半无限大空间。已知时。试求时的。 解：设，则由题意可知 两种电介质的交界面上无自由电荷，则边界条件为或 ，则 所以，z 0 时： （顶端▲） 3.11如题3.11图所示的平板电容器中，分别以两种不同的方式填充两种不同的介质和。当两极板之间外加电压时，试求电容器中电位和电场的分布以及电容器的电容。 解：对于图a：忽略边缘效应，可以认为电位分布也只与有关，均满足一维拉普拉斯方程： 且由介质分界面的边界条件可知， 两种介质中的电位分布是相同的，其通解为： 根据已知条件，解得和，即平板电容器中的电位分布为： 根据，可以得到平板电容器中的电场强度： 对平板上，面电荷密度分别为 总电量为： 电容器的电容为： 对于图b：忽略边缘效应，同样可认为电位分布也只与有关，均满足一维拉普拉斯方程，两种介质中的电位分布的通解可以分别设为 和 根据已知条件和，以及分界面处的边界条件和可以解得 和 根据，可以得到平板电容器中两种介质中的电场分布为 和 对平板上，面电荷密度为： 总电量为： 电容器的电容为： （顶端▲） 3.13如题3.13图所示，半径为的无限长导体圆柱，单位长度的带电量为。其一半埋于介电常数为的介质中，一半露在空气中。试求各处的电位和电场强度。 解：设导体电位为零。以导体圆柱中心轴为z轴建立圆柱坐标系，空间电位与只与坐标?有关，即，在圆柱坐标系中，设电位分布为： ?1、?2均满足一维拉普拉斯方程，即 将上述两方程分别直接积分两次，得通解： 和 在介质分界面上任一点电位皆连续，则和，即 无限长导体圆柱上电位为0，即，可得，则通解可写为： 导体圆柱表面的面电荷密度为： 单位长度导体圆柱上的电量为： 或： 于是得到导体圆柱外的电位和电场强度分别为 和 （顶端▲） 3.16顶端夹角为的带电导体圆锥垂直于无限大的接地导体平面，但两者之间有一缝隙。当圆锥所加电压为时，试求圆锥体与导体平面之间的电位分布及电场强度。 解：由于圆锥体与导体平面之间的电位分布均仅为坐标的函数，满足一维的拉普拉斯程 即 将上述方程分别直接积分，得出通解为 利用边界条件和解得 和 由此可得圆锥体与导体平面之间的电位和电场强度的分布分别为 和 （顶端▲） 3.18题图所示矩形空间区域内的电位分布，已知边界条件为： (1)，； (2)，，； 解：(1) 本题属于二维边值问题：，其电位满足的 Laplace方程可用分离变量法求解。 由题意可知：y方向具有齐次边界条件，则，，其通解形式为： 由边界条件，即由可得： 和 则通解亦为： 代入边界条件： 由于，则，代入通解得 利用公式：，得 令常数，则通解可写成： 将上式对求和，得该边值问题的解： 最后，将边界条件 代入上式，得 上式两边同乘，并作积分： 利用三角函数的正交关系：，则 而，则系数 或 最后得到电位分布为： (2) x方向满足齐次边界条件，则，，其通解形式为： 将上式运用边界条件和，可以得到 再由边界条件以及，可以得到 则 式中，。将上式对求和得此边值问题的解： 最后，将边界条件 代入上式，得 两边同乘 ，作积分并利用三角函数的正交性： 得系数： 或 最后得到电位分布为： （顶端▲） 3.32若两个半无限大导体平面相交成??角，其间放一根无限长带电直线，线电荷密度为，且与两平面的交线平行。试求下列情况下??角形区域内的电位分布： (1)； (2) ; (3) 。 解：设导体平面接地，则O点电位亦为零。以O点为零电位参考点 ?=90°时，对应3个镜像（线）电荷（位置如图）： ，， P点电位为各线电荷在P点电位的叠加： r、r1、r2、r3分别为到P点的距离, r0为各线电荷到O点的距离。代入整理上式得： ?=60°时，对应5个镜像（线）电荷（位置如图）： ，，， ， 设r、r1、r2、r3、r4、r5分别为 到P点的距离。各线电荷到O点的距离相 等（设为r0），则P点电位为： (3)??=45°时，，对应2n-1=7个镜像（线）电荷（图略），P点的电位为：