第九章薄膜的表征.pptVIP

Characterization of thin films Thickness and deposition rate Thickness 台阶仪Profiler 干涉显微镜 Interference microscope 石英晶体振荡薄膜厚度监控Oscillator for quartz crystal thickness monitor 椭偏仪 ellipsometer 电子显微镜 SEM断面扫描 台阶仪 光干涉法 2.2 不透明薄膜厚度的测量 －等厚干涉条纹法 石英晶体振荡法 数学关系 特点 Morphology Microscope Polarizing Microscopes phase contrast microscope SEM TEM－原子级分辨率 AFM，STM… AFM Structure Diffraction XRD HEED，LEED，RHEED Neutron diffraction TEM Thin Film Real Structure Thin Film’s Inner Structure Thin Film Relevant Parameters Thin Film Analysis by Texture Composition X－ray fluorescence Electron Probe Micro-analyzer 光电子能谱 XPS 俄歇电子能谱 AES 卢瑟福背散射 RBS 红外光谱 Fourier Transform InfraredSpectrophotometer SIMS * * Physical characterization X-ray diffraction (XDS) Transmission electron microscopy (TEM) Optical microscopy Scanning electron microscopy (SEM) Atom force microscopy (AFM) Secondary ion mass spectroscopy (SIMS) Electrical Measurements Van der Pauw Hall Capacitance-voltage (C-V) Optical measurements Photoluminescence (PL) Materials Characterization Extracted from 单色光从薄膜上、下表面反射，当膜厚导致的光程差为n倍λ时，会发生干涉。 光程差为： nc(AB+BC) – AN 又，折射定律： 光程差＝ 位相变化 (正入射) 0，透射光 π，反射光反射回折射率小的物质 0，反射光反射回折射率大的物质 2.1 透明薄膜厚度的测量 测试条件：单色光、垂直入射，反射光强度将随膜厚而周期变化。 极值出现在： n1n2，极大值 n1n2，极小值 金属膜吸收太强，不适用。 单色平行光照射到楔形薄膜上，反射后，会在固定的位置产生干涉的最大和最小，所以可观察到明暗相间的平等条纹。 若膜厚不均，干涉条纹也就不规则。若膜厚有台阶，干涉条纹出现台阶，显然相邻干涉条纹间相差λ/2。 原理：利用石英晶体的振荡频率随晶片厚度变化的关系，在晶片上镀膜，测频率的变化，就可求出质量膜厚。 固有频率： v：厚度方向上弹性波的速度， 切变弹性系数 ，N为频率常数，只与晶体的切向有关 求导，得： 若在蒸镀时石英晶体上接收的淀积厚度(质量膜厚)为dx，则相应的晶体厚度变化为 优点：原位测量法，引入时间的微分电路，还可测薄膜的生长速度，灵敏度高，20HZ左右，相应于石英的质量膜厚为12埃。缺点：（1）只能得到平均膜厚；（2）当石英晶片与蒸发源位置改变时，需校准；（3）在溅射法中测膜厚，易受电磁干扰；（4）探头温度不能超过80℃。 a.30min b.1h c.3h d.6h dislocation dislocations, relaxation lattice mismatch strain texture crystallinity roughness thickness density Substrate Layer 1 Layer 2 single crystal poly-crystal amorph Strain, relaxation mismatch Roughness Crystal orientation Defects Crystal size Layer thickness A C A B A BxC1-x Chemical Composition Lattice pa