第四章真空溅射镀膜.pptVIP

5.3离子束沉积 Ion Beam Deposition 1）定义 利用离化的粒子束流（离子束）参与基片上的沉积过程 2）特征 基片接负电位，镀膜过程中，基片及膜层一直受到高能离子束的轰击。 3）分类 离子束（束流）沉积——膜材直接以离子束的形式沉积在基片上 离子束辅助沉积——镀膜过程中，工作气体的离子束轰击基片和膜层 思考题 与_______相比,磁控溅射镀膜具有”三低一高”的特点,是指________________. 射频溅射镀膜的主要用途是_________. ___________靶可以有效解决______溅射镀膜的靶中毒和_______问题. 镀膜机的工作方式有周期式、_______和________. 中国触摸屏网（) * 中国触摸屏网 —— 无“触”不在 您下载的该触摸屏技术文档来自于中国触摸屏网( / ) What you are downloading are from China Touchscreen Site: ( / ) ? 中国触摸屏网四大版块： ? 触摸屏论坛： / 触摸屏供求商机： / 招聘/找工作求职： /forum-12-1.html 触摸屏行业杂志： /emag/ 1. 触摸屏论坛：中国触摸屏网论坛是触控面板人讨论触摸屏技术，解决触摸屏技术问题，发布触摸屏产品供求信息，了解触摸屏市场动态，触摸屏厂商招聘和找工作求职的第一平台。 ?2. 触摸屏供求商机：免费发布触摸屏相关产品：触控面板、触摸屏材料、触摸屏设备、触摸屏一体机、人机界面、大屏幕显示器、广告机、金融自助设备、薄膜开关、电子显示屏等 ?3. 招聘/找工作求职：触摸屏厂商招聘和触摸屏行业人才找工作求职，招聘/找工作效果好！ ?4. 触摸屏杂志：《触动中国》电子杂志聚焦触控面板行业资讯、追踪技术潮流和市场趋势。 ②有平行电场时的节距： B//E，且B、E均匀 B、E反向 电子被加速 电子回旋的螺距增大 B、E同向 电子被减速 电子回旋的螺距减小 ③有正交电场时的运动 B⊥E 且B、E均匀 摆线轨迹（直线运动与圆周运动的合成） 电子在第三轴方向行走，在E方向仅有限高度 摆线轨迹（旋轮线半径） m 式中e ——电子电荷量C；m——电子质量kg； B——磁感应强度T；E——电场强度V/m。 应用实例：平面电极——均匀正交电磁场 平面磁控靶 同轴圆柱电极——径向电场轴向磁场 同轴圆柱靶? 磁控的目的： 利用磁场的束缚效应，使电子轨迹加长，使放电可以在较低的电压和气压条件下维持。 磁控溅射的特点： ① 电子利用率高，低气压、低电压下能产生较多正离子——溅射速率高； ② 电子到达基片时是低能状态，升温作用小——基片温度低； ③ 放电集中于靶面； ④ 沉积速率大。 1）磁控靶 设计要点：①产生均匀正交电磁场，电场⊥，磁场∥。关心水平磁场的强度和分布。 ②磁场形成封闭回路，电子在其中循环飞行。 ③防止非靶材成分的溅射，加屏蔽罩。屏蔽间隙δ＜2re 结构形式:107 Fig4-15 ①圆平面靶 ②矩形平面靶 ③同轴圆柱靶 ④S枪（圆锥靶） ⑤旋转圆柱靶（柱形平面靶） ⑥特殊结构靶 3）工作特性及参数 ①电流电压特性： 低压等离子体放电 电压↑，电流↑； 气压p↑，放电电压U↓，电流I↑； 与靶的结构有关。 ②沉积速率：单位时间成膜厚度 q r nm / min 相对沉积速率与气压的关系 P110 Fig4-19 沉积速率与靶电流的关系 P110 Fig4-21 沉积速率与靶基距的关系 P110 Fig4-20 ③功率效率=沉积速率（nm / min ）/靶功率密度（W/cm2） 最大功率密度 功率过大会引起靶开裂、升华、熔化。 是限制沉积速率的重要因素；水冷系统的主要设计依据 4.4 射频溅射镀膜 R.F.(Radio Frequency) Sputtering Coating 1）原理： 解决绝缘材料的溅射 A+入射轰击，维持10-7s电位抵消，反转电极 e入射中和，维持10-9s，电荷中和 射频电源：频率13.56MHz 正负半周各在10-7s左右 特点：气体极易被击穿，所以击穿（破裂）电压和放电电压仅为直流溅射 2）装置 射频二极溅射—— 射频磁控溅射——二者区别：溅射靶有无磁场 P119，Fig4-32 ? 3）电源 射频源13.5