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一.半导体二极管的结构和符号 二极管由半导体材料制成 半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物质。如硅(Si)或锗(Ge) 半导体具有热敏特性和光敏特性----受热或受光照后，导电性能会变强 纯净的半导体又称本征半导体 半导体的掺杂特性---本征半导体中掺入微量的杂质后，导电性能会显著提高 P型半导体---本征半导体中掺入微量的三价元素，得到以空穴载流子为主的空穴型半导体，空穴载流子是带正电荷 N型半导体---本征半导体中掺入微量的五价元素，得到以电子载流子为主的电子型半导体，电子载流子是带负电荷 PN结---通过一定的生产工艺，把P型半导体和N型半导体结合在一起，在它们的交界处形成一个具有特殊性能的薄层 PN结具有单向导电性 半导体二极管---- 一个PN结引两电极、封装管壳就制成一个二极管 所以，二极管也具有单向导电性 二.PN结的单向导电性（演示实验） 二极管的正极接电源正端，负极接电源负端，PN结导通。这种接法称为二极管外加正偏电压 正偏时，二极管呈小电阻，电路中有较大电流通过 二极管的正极接电源负端，负极接电源正端， PN结截止。这种接法称二极管外加反偏电压 反偏时，二极管呈大电阻，电路中几乎没有电流通过 这就是二极管的单向导电性 三.半导体二极管的伏安特性曲线 二极管的伏安特性曲线---描述二极管两端的电压和流过的电流之间的关系曲线 正向特性： 死区（0A段）：硅管死区电压小于0.5V,锗管死区电压小于0.1V） 导通（B点后）：硅管导通电压约为0.7V，锗管约为0.3V）。 超过死区电压后，二极管中电流开始增大 二极管在电路中相当于开关接通状态 反向特性： 反向微电流区（0C段）：二极管两端加反向电压小于某一数值时，二极管并不是理想的截止，它会有很小的反向电流，且反向电流在一定范围内基本不随反向电压变化而变化，称为反向饱和电流（一般硅管约为几到几十μA，锗管约为几十到几百μA）。此时二极管在电路中相当于一个开关的断开状态。 反向击穿：当反向电压增大至某一数值后，反向电流开始急剧增大（D点），二极管将被击穿，有可能把二极管烧坏。 四.半导体二极管的主要参数 1.最大整流电流IF ：指二极管在室温下长期运行允许通过的最大正向平均电流。 超过这一数值二极管将因过热而烧坏。工作电流较大的大功率管子还必须按规定安装散热装置 2.最高反向工作电压VRM ：指允许加在二极管上的反向电压的最大值。 选用时应保证反向电压在任何情况下都不要超过这一数值，以避免二极管被反向击穿 此外，还有正向压降、反向电流、工作频率等参数 五.特殊二极管的作用 利用PN结的单向导电性特点工作：整流二极管、检波二极管、开关二极管等。 根据PN结的其它特点制造出具有特殊用途的二极管，如稳压二极管、变容二极管、光电二极管、发光二极管等。 1.稳压二极管 稳压原理：利用二极管反向击穿时通过管子的电流在很大范围内变化，而管子两端的电压却几乎不变的特点实现的 2.发光二极管(LED) 发光二极管的PN结是工作在正向偏置状态 用特殊的半导体材料，如砷化镓等制成的 正向特性比较特殊，相当部分LED工作电流为10mA---30mA左右时，正向电压降约为1.5V---3V 实际应用中需要在外电路串联一个限流电阻，对反向电流加以限制，使稳压管能安全工作。 稳压管实质上是工作在反向击穿状态下的二极管，未反向击穿时，和一般的整流二极管没有太大区别 白光LED正逐步取代现有灯泡照明,有“绿色照明光源”之称 3.光电二极管 光电二极管的PN结工作在反偏状态,其反向电流随光照增强而增加 4.变容二极管 PN结工作在反偏状态,其结电容随反偏电压增加而减小 5、红外接收发射头 常用的红外遥控系统一般分发射和接收两个部分。发射部分的主要元件为红外发光二极管。它实际上是一只特殊的发光二极管；由于其内部材料不同于普通发光二极管，因而在其两端施加一定电压时，它便发出的是红外线而不是可见光。 接收部分的红外接收管是一种光敏二极管。在实际应用中要给红外接收二极管加反向偏压，它才能正常工作，亦即红外接收二极管在电路中应用时是反向运用，这样才能获得较高的灵敏度。红外发光二极管一般有圆形和方形两种。 6、光耦 光耦合器（opticalcoupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，由于它具有体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号等优点，在数字电路上获得广泛的应用。 电容器的