InSb纳米晶体的生长和吸收光谱的研究.docx

InSb纳米晶体的生长和吸收光谱的研究摘 要：采用在惰性气体中蒸发的方法获得了沉积在 Z n S基片上的 I n S b纳米晶体， 其平均尺寸随惰性气体的压强增加而增大.从实验测量的室温吸收谱上看到,当纳米晶体的平均直径从 2 7.9nm减小到 2 4 .2nm再到2 1．4nm时，其吸收边分别向高能方向移动了0.0 1 5 1 e V和0 .0 1 4 5 e V.用有效质量近似模型计算了半导体纳米晶体的吸收边相对其体材料的移动, 将理论计算与实验结果进行了比较． 关键词：I n S b纳米晶体; 吸收光谱；量子尺寸效应Preparation and optical absorption spectra of nan ocrystal InSbHE Yan-lan．SUN Quan(CoUege of Science，National University of Defense Technology，a1ar 1a 410073，China)Abstract：Semiconductor nanocrystals InSb deposited on the ZnS substrate by using the method of evaporation in inert gas．The average size of InSb nanocrystals glows with increasing pressure of inert gas．From room-temperature optical absorption．O．0151 eV and O．0145 eV high-energy shift of absorption edge of InSb nanocrystals has been measure as the mean diameter decreases from 27．9 nm to 24．2 nm，and then to 21．4 nm．The shift of absorption edge of InSb nanoerystals，compared with that of bulk，is calcuhted by means of effective-mass approximation mode1．The calculation and experimental results are compared ．Key words：InSb nanocrystals，absorption spectrum，quantum-size effect1 引 言 近年来，人们对半导体纳米晶体做了大量的理论和实验研究．由于半导体纳米晶体的三维量子限制效应使得其许多物理性质与块体材料有本质区别，如良好的线性光学性质和显著的 3阶非线性光学现象，使其在新型光电子器件方面具有广阔的应用前景．当半导体纳米超微粒的尺寸小到与其激子波尔半径可比时，电子和空穴被限域在小尺寸的势阱中导致原来连续的能级的量子化，产生具有分子特性的分立能级结构，并且由于动能的增加使得能隙增大．由于半导体纳米材料的导带和价带态密度介于体材料的连续态密度和分子分离态密度之间，能级分裂，并出现了新的跃迁规律，进而使其红外吸收发生明显的变化.我们用气体中蒸发的方法在 Z n S基片上沉积形成纳米 I n S b颗粒薄膜，并通过对所得历经不同的样品吸收谱分析，发现 I n S b纳米晶的吸收边随颗粒的减小向高能方向移动；并将室温吸收谱测量结果与理论计算结果进行了比较．2 样品制备实验采用在惰性气体中蒸发的方[ 1.2 ] 使用南京大学低能团簇束流淀积设备制备 I n S b纳米颗粒. 将纯度为9 9．9 9 ％N型 I n S b多晶粉末放在石英坩埚中，并将工作腔抽真空到3 .0 ×1 0-2 P a的真空度，然后通过无电阻加热器对坩埚进行加热，由于I n S b的熔点约为 5 3 0℃，温度升高到 7 0 0℃左右时蒸发腔中即达到饱和蒸汽压.由于 Z n S材料具有良好的红外透过性，实验中选择 Z n S作为沉积基片.将 φ1 0 X 1 的Z n S基片及蒸过碳膜的铜网同时放入沉淀腔中, 此时充人低压纯净的惰性气体( Ar )并在冷却棒中充人液氮, 原物质的烟雾被惰性气体向前推动,在接近冷却棒时与惰性气体分子碰撞冷却，聚合长大成纳米颗粒,并在 Z n S基片和铜网上沉积．在沉积腔中物质分子由于低温和剧烈的碰撞而迅速冷却凝结并沉积在基片上，颗粒的大小和结构与基片的表面晶格结构无关，只与惰性气体的碰撞频率和冷却结晶时间有关，因此实验过程中可以通过改变惰性气体的压强可以生成不同粒径的纳米颗粒．将蒸发温度保持在 7 5 0℃，在冲入 A r 气的压强分别为4