第6章 半导体器件.ppt

绝缘栅场效应管的图形符号如图6.30（b）、(c)所示，箭头方向表示沟道类型，箭头指向管内表示为N沟道MOS管(图(b))，否则为P沟道MOS管(图(c))。 图6.30 MOS管的结构及其图形符号 2）工作原理 图6.31是N沟道增强型MOS管的工作原理示意图，图6.31（b）是相应的电路图。工作时栅源之间加正向电源电压UGS，漏源之间加正向电源电压UDS,并且源极与衬底连接,衬底是电路中最低的电位点。 当UGS=0时，漏极与源极之间没有原始的导电沟道，漏极电流ID=0。这是因为当UGS=0时，漏极和衬底以及源极之间形成了两个反向串联的PN结，当UDS加正向电压时，漏极与衬底之间PN结反向偏置的缘故。 图6.31 N沟道增强型MOS管工作原理 (a)示意图； (b)电路图 当UGS0时，栅极与衬底之间产生了一个垂直于半导体表面、由栅极G指向衬底的电场。这个电场的作用是排斥P型衬底中的空穴而吸引电子到表面层，当UGS增大到一定程度时，绝缘体和P型衬底的交界面附近积累了较多的电子，形成了N型薄层，称为N型反型层。反型层使漏极与源极之间成为一条由电子构成的导电沟道，当加上漏源电压UGS之后，就会有电流ID流过沟道。通常将刚刚出现漏极电流ID时所对应的栅源电压称为开启电压，用UGS(th)表示。 当UGSUGS(th)时，UGS增大、电场增强、沟道变宽、沟道电阻减小、ID增大；反之，UGS减小，沟道变窄，沟道电阻增大，ID减小。所以改变UGS的大小，就可以控制沟道电阻的大小，从而达到控制电流ID的大小，随着UGS的增强，导电性能也跟着增强，故称之为增强型。 必须强调，这种管子当UGSUGS(th)时，反型层（导电沟道）消失，ID=0。只有当UGS≥UGS(th)时，才能形成导电沟道，并有电流ID。 3）特性曲线 （1）转移特性曲线为 由图4.32所示的转移特性曲线可见，当UGSUGS(th)时，导电沟道没有形成，ID=0。当UGS≥UGS(th)时，开始形成导电沟道，并随着UGS的增大，导电沟道变宽，沟道电阻变小，电流ID增大。 （2）输出特性曲线为 图6.32 转移特性曲线 图6.33为输出特性曲线，与结型场效应管类似，也分为可变电阻区、恒流区（放大区）、夹断区和击穿区，其含义与结型场效应管输出特性曲线的几个区相同。 图6.33 输出特性曲线 2. N沟道耗尽型MOS管 1）结构、符号和工作原理 N沟道耗尽型MOS管的结构如图6.34（a）所示，图形符号如图6.34（b）所示。N沟道耗尽型MOS管在制造时，在二氧化硅绝缘层中掺入了大量的正离子，这些正离子的存在，使得UGS=0时，就有垂直电场进入半导体，并吸引自由电子到半导体的表层而形成N型导电沟道。 图6.34 N沟道耗尽型MOS管的结构和符号 （a）结构;（b）图形符号 如果在栅源之间加负电压，UGS所产生的外电场就会削弱正离子所产生的电场，使得沟道变窄，电流ID减小;反之，电流ID增加。故这种管子的栅源电压UGS可以是正的，也可以是负的。改变UGS，就可以改变沟道的宽窄，从而控制漏极电流ID。 2）特性曲线 （1）输出特性曲线。N沟道耗尽型MOS管的输出特性曲线如图6.35（a）所示，曲线可分为可变电阻区、恒流区（放大区）、夹断区和击穿区。 图6.35 N沟道耗尽型MOS管特性 （a）输出特性曲线 （2）转移特性曲线。N沟道耗尽型MOS管的转移特性曲线如图6.35（b）所示。从图中可以看出，这种MOS管可正可负，且栅源电压UGS为零时，灵活性较大。 当UGS=0时，靠绝缘层中正离子在P型衬底中感应出足够的电子，而形成N型导电沟道，获得一定的IDSS。 当UGS0时，垂直电场增强，导电沟道变宽，电流ID增大。 当UGS0时，垂直电场减弱，导电沟道变窄，电流ID减小。 当UGS=U GS(th)时，导电沟道