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三维封装的现在和未来 微电子学一班 随着便携式电子系统复杂性的增加, 对VLSI集成电路用的低功率、轻型及小型封装的生产技术提出了越来越高的要求。同样, 许多航空和军事应用也正在朝该方向发展。为满足这些要求, 现在产生了许多新的3- D 封装技术, 或是将裸芯片, 或是将MCM 沿z 轴叠层在一起, 这样, 在小型化方面就取得了极大的改进同时, 由于z 平面技术总互连长度更短, 会产生寄生电容, 因而系统功耗可降低约30%。 三维(3D)封装技术的分类 三维封装的结构类型有3种: 一是埋置型3D封装,即在多层基板底层埋置IC芯片,顶层组装IC芯片,其间高密度互连; 二是有源基板型3D封装,即在Si或GaAs 衬底上制造多层布线和多种集成电路,顶层组装模拟IC芯片和其它元器件; 三是叠层型3D封装,即把多个裸芯片或封装好芯片或多芯片模块( MCM)沿Z轴叠装、互连,组装成3D封装结构。由于叠层型3D封装适用范围广,并且工艺相对简单,成本相对较低,已引起国外多家公司的注意,如Actel , IBM, Harris, Mo to rola 等著名公司都在积极开展叠层型3D封装的研究工作。下面将重点介绍叠层型3D封装。 1.埋置型3D 结构 这是一种实施最早( 八十年代) , 也是最为灵活方便的3D, 同时又可作为后布线的芯片互连技术, 能大大减少焊点, 提高电子产品可靠性的电子封装技术。埋置型3D 结构又可分为基板开槽埋置型和多层布线介质埋置型, 如图1所示。在混合集成电路( H IC) 多层布线中埋置R、C 元件已经普遍, 而埋置IC芯片和R、C 后的布线顶层仍可贴装各类IC 芯片, 就可构成更高组装密度的3D-MCM 结构。由于布线密度及功率密度都很高, 所以这种3D-MCM 所使用的基板多为高导热的Si 基板、AIN 基板或金属基板。 上图 是AIN 基板多层布线介质埋置IC 的3D-MCM 结构, 制作方法与常规多层布线技术相同。  2.有源基板型3D 结构 自从IC 出现以来, 人们就试图将一个复杂的电子整机甚至电子系统都集成在一大片Si 圆片内, 成为圆片规模IC( WSI) 。今天的VLSI、ASIC( 专用集成电路) 已部分地实现了WSI, 如CPU、DSP、摄录一体机等, 就是一个个小系统。有些芯片的尺寸达到近30mm 见方, 能集成数千万个器件。这种有源Si基板再多层布线, 上面再安装多芯片, 就可形成有源基板型的3D-MCM, 从而以立体封装形式达到了WSI 所能实现的功能。无论是一个大尺寸的复杂IC 作为Si 基板还是WSI 作为Si 基板来进一步实现3D, 其关键是要解决有源Si基板的成品率问题, 因为是成品率决定成本、价格。而解决成品率和成本、价格的有效办法之一是降低Si 基板有源部分的复杂性和集成度, 并对重要或关键部分增加心要的冗余设计。这类有源基板型的3D-MCM 结构如下图所示。 有源基板型3D-MCM 的主要优点,一是工艺与一般半导体IC工艺相同,从而可实现大规模工业化生产, 并随着半导体艺技术的发展而不断提高; 二是Si 基板与其上面安装的IC 芯片能达到应力完全匹配, 从而使电子产品有更高的可靠性。 3. 叠层型3D 结构 叠层型3D, 是将LSI 、VLSI 芯片、MCM 或WSI 无间隙的层层叠装而成,是研制开发的非常活跃的3D 结构。 上图 是在基板的两侧用直接芯片贴装( DCA) 方法形成的3D 结构, 芯片连接分别采用了丝焊( WB) 、载带自动焊( TAB) 和倒装焊( FC) 。 最常见的裸芯片叠层3D封装是先将生长凸点的好芯片倒扣焊接在薄膜载体上,这种薄膜载体的材质为陶瓷或环氧玻璃,上面有导体布线,内部互连焊点,两侧有外部互连焊点,再把多个薄膜载体叠装互连。其结构见下图。 三维(3D)封装技术的优点与局限性 尺寸和重量 3- D 设计替代单芯片封装缩小了器件尺寸、减轻了重量。尺寸缩小及重量减轻的那部分取决于垂直互连的密度。和传统的封装相比, 使用3- D技术可缩短小尺寸、减轻重量达40~ 50 倍。表1从体积和重量上比较了TI 公司3- D 裸芯片封装和分立、2- D 封装( 通常所说的MCM) 。由表1 可见, 相对MCM 技术、3- D 封装技术可缩小体积5~ 6 倍, 减轻重量2~ 13 倍; 而相对分立式封装技术, 3- D 封装技术可缩小体积10~ 20 倍, 减轻重量3~ 19 倍。这些都是因为解决了传统技术所带来的多余重量和尺寸问题。就Aladdin 并行处理器来说, 它比Cra