可擦重写光盘.ppt

第9章光盘与光存储技术 主要内容 9.1 光存储与光盘 9.2 只读存储光盘（ROM） 9.3 一次写入光盘(WORM) 9.4 可擦重写光盘(RW) 9.5 光盘衬盘材料 9.6 光信息存储新技术 光盘与光存储技术 光盘与光存储技术 9.1光存储与光盘 9.1光存储与光盘 9.2只读存储光盘（ROM） 9.2只读存储光盘（ROM） 9.2.2 ROM光盘主盘与副盘制备 9.2.3 ROM光盘“2P”复制 9.3 一次写入光盘(WORM) 9.3.2 写/读光盘对存储介质的基本要求 9.3.2 写/读光盘对存储介质的基本要求 9.3.2 写/读光盘对存储介质的基本要求 9.3.3 WORM光盘的存储原理 9.3.3 WORM光盘的存储原理 9.3.3 WORM光盘的存储原理 9.4 可擦重写光盘(RW) 9.4.1可擦重写相变光盘存储原理 9.4.1可擦重写相变光盘存储原理1.激光热致相变可擦重写光存储 9.4.1可擦重写相变光盘存储原理1.激光热致相变可擦重写光存储 9.4.1可擦重写相变光盘存储原理1.激光热致相变可擦重写光存储 9.4.1可擦重写相变光盘存储原理1.激光热致相变可擦重写光存储 9.4.1可擦重写相变光盘存储原理1.激光热致相变可擦重写光存储 9.4.1可擦重写相变光盘存储原理2.激光光致相变可擦重写光存储 9.4.1可擦重写相变光盘存储原理 9.4.1可擦重写相变光盘存储原理 9.4.2可擦重写磁光光盘存储 9.4.2可擦重写磁光光盘存储 9.4.2可擦重写磁光光盘存储 9.5光盘衬盘材料 9.5.2衬盘材料的选择 9.5.2衬盘材料的选择 9.6 光信息存储新技术 9.6 光信息存储新技术 9.6.1 综述 9.6.2持续光谱烧孔和三维光信息存储 9.6.2持续光谱烧孔和三维光信息存储 9.6.2持续光谱烧孔和三维光信息存储 9.6.3 电子俘获光存储技术 9.6.3电子俘获光存储技术 9.6.3电子俘获光存储技术 9.6.3电子俘获光存储技术 9.6.4全息信息存储 9.6.4全息信息存储 9.6.4全息信息存储 9.6.4全息信息存储 9.6.4全息信息存储 9.6.4全息信息存储 9.6.4全息信息存储 9.6.4全息信息存储 9.6.4全息信息存储 9.6.5光致变色存储 9.6.5光致变色存储 9.6.5光致变色存储 9.6.5光致变色存储 9.5.1光盘规格 光盘衬盘厚1.2mm，外形很象一张透明唱片。其直径尺寸按1984年ISO/X3B11推荐的国际标准共有直径??公制单位mm?=356，300，200，130，120等规格，分别对应的??英制单位in?14″，12″，8″，5.25?，5?。近年来民间又开发了小型光盘衬盘，直径?3.5?、2.5?及1.8?等。ISO是国际标准组织（international standardization organization）的简称，它管辖的信息部，代号是X3；X3B11是信息部所属光盘技术委员会的代号。以下内容凡标有“ISO”符号的数据，都表示ISO/ X3B11推荐的国际标准值。 光盘衬盘上分布着间距为1.6?m(ISO)的预刻沟槽，同心圆或螺旋线都可。槽宽约0.8?m，槽深取?/8n，n是衬盘的折射率。目前半导体激光器波长?=830nm，衬盘n=1.49时，槽深为70nm。信息可以记录在槽内或在两槽之间的岸上。 9.5.2衬盘材料的选择 衬盘材料应满足以下要求： 1.物化特性 物理化学特性要求比重小，吸水率、成型收缩率尽可能低；用它制备光盘时脱气时间短；抗溶剂性应强。 2.光学性能好 对紫外光透射性能好；对写、读、擦波长吸收系数小；双折射低；透光均匀；材料中应当没有气泡、缺陷、杂质、凝胶胶粒等，否则会引起读写擦光束的衍射或消光，从而导致信号失真或信息误传。 3.耐热性能 抗热变形性的能力要强，热膨胀率应低；软化温度、热变形温度应尽可能的高；洛氏硬度应强，断裂生长百分率应高。 表1-10中是国际上几种衬盘材料的测试结果，表中各材料的全名如下： PMMA??聚甲基丙烯酸甲酯（英文全名：polyme-thymethacrylate）； PC??聚碳酸脂(polycarbonate)； APO??非晶态聚烯烃(Amorphous polyolefin) 一般只读存储和一次写入光盘的衬盘材料选用PMMA；可擦重写、直接重写相变光盘衬盘材料选用PC；磁光光盘衬盘选用PC及钢化玻璃，APO是新开发的材料，从吸水指标来看，是很有希望的材料。 表10-1几种常用衬盘材料性能参