第1章 led发光机理 213第1章 led发光机理 2013第1章 led发光机理 2013第1章 led发光机理 2013.ppt

但是声子能量是较小的，数量级为百分之几电子伏以下，因此近似的有 电子能量差 ＝ 光子能量 而准动量守恒的跃迁选择定则为 其中?q 为声子的准动量，它与能带中电子的准动量相仿，略去光子动量，有 结论： （１）在非竖直跃迁中，光子主要提供跃迁所需要的能量，而声子则主要提供跃迁所需要的准动量 （２）与竖直跃迁相比，非竖直跃迁是一个二级过程，发生的几率要小得多 （２）由于与光吸收情况相同的原因，在直接带隙半导体中这种发光的几率远大于间接带隙半导体． c．电子－空穴复合发光： 考虑一个与半导体的光吸收相反的过程，导带中的电子可以跃迁到价带空能级而发射光子，这称为电子－空穴复合发光。 复合发光的特点： （１）一般情况下电子集中在导带底，空穴集中在价带顶，发射光子的能量基本上等于带隙宽度． 制作复合发光的发光器件（一般要用直接带隙半导体。发光的颜色取决于半导体的带隙宽度）． 应用： * * 面发光二极管中，有源发光面与光纤轴垂直。这种结构中，在器件的衬底腐蚀了一个小孔，然后用环氧树脂材料固定插入小孔的光纤，这样能以尽可能高的效率接收发射出来的光。 朗伯光源：各个方向上的亮度(光功率密度)都相同，因此，每个角度的光功率与观察方向角相关，令I为功率密度，方向角对应的空间面积为dAd{omg}cosq * * 边发光二极管由一个产生非相干光的有源结区和两个导光层组成。导光层的折射率要低于有源区，但比周围的材料折射率高。这种结构形成了一个波导通道，使辐射光的出射方向朝向光纤的纤芯。边发光二极管要比面发光二极管具有更好的方向性，主要体现在边发光二极管的与pn结垂直方向上的光的方向性好。缺点是需要较大驱动电流，且发光功率低。 * * * * * 自发辐射---LED工作原理 如果把电流注入到半导体中的P-N结上，则原子中占据低能带的电子被激励到高能带； 当电子从高能带跃迁到低能带时，将自发辐射出一个光子，其能量为 hv。 电子从高能带跃迁到低能带把电能转变成光能的器件叫 LED。 * 自发辐射的光是一种非相干光： 当电子返回低能级时，它们各自独立地分别发射一个一个的光子。因此，这些光波可以有不同的相位和不同的偏振方向，它们可以向各自方向传播。 同时，高能带上的电子可能处于不同的能级，它们自发辐射到低能带的不同能级上，因而使发射光子的能量有一定的差别，使这些光波的波长并不完全一样。 * LED的主要工作原理对应光的自发发射过程，因而是一种非相干光源。 LED发射光的谱线较宽、方向性较差，本身的响应速度又较慢，适用于各种照明中。 发光二极管LED LD与LED的比较 半导体发光二极管（LED）与半导体激光二极管（LD）在结构上的根本区别就是它没有光学谐振腔，形不成激光。它的发光限于自发辐射。它发出的是荧光，而不是激光。 面发光二极管 优点：LED到光纤的耦合效率高 P(q) = P0cosq 载流子注入 25 mm 5 mm 边发光二极管 优点：与面发光LED比，光出射方向性好 缺点：需要较大的驱动电流、发光功率低 载流子注入 50~70 mm 100~150 mm 30o 120o * * 电子由导带向价带跃迁时以光的形式释放能量，大小为禁带宽度Eg，由光的量子性可知： hf= Eg 其中h为普朗克常量6.63×10^-34J·s ,f为频率 据 f=c/λ（c=3*10^8m/s ） 可得 λ=hc/Eg ≈1240/Eg（mm） LED发射波长的公式推导 Ec Ef Ev 导带 禁带 Eg 价带 满带 * 光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即 λ≈1240/Eg（mm） 式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。 Ec Ef Ev 导带Ec 禁带Eg Eg 价带Ev 满带Ec * * 一般 短波長紅外光 高亮度 長波長紅外光 可見光 不可見光 LED 波長450~780nm 光波長850~1550nm 950~1550nm 比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管。 白光LED （1998年、固态照明）； 思考：白光LED的意义？ 1、原理：二波长光混色(蓝色光+黄色光) GaN芯片发蓝光（λp=465nm， Wd=30nm） ； 蓝光激发Ce(铈)：YAG（ Y3Al5O12，Y2O3和Al2O3的摩尔比为3：5 ）荧光粉，发射黄色光，峰值5