3_设计与功能.docx

3 设计与功能设计与功能章节将介绍系统配置与镀膜系统如何工作。每项组件的重要性与任务进行了解释。蒸镀工艺的基础进行了解释，以便更好地理解生产过程。3.1TopBeam电子束蒸镀设备的特性TopBeam电子束蒸镀设备经过特殊设计的组件能够获得极高的沉积速率，且可以蒸镀多种材料。图形化系统自动控制，例如使用过程示意图。基于PC、PLC和独立处理器的高可靠性自动过程控制。无故障可移动装卸卷系统。ESCOSYS电子束偏转系统，通过数学计算，软件控制可以获得在坩埚中最优的能量分布。膜卷运行和张力的优化，获得镀层和卷绕的最高的连续性。主鼓冷却，防止对膜卷的热损伤。同时，通过精确控制膜卷张力，获得膜卷与主鼓之间理想的热传递。具有遥控功能的展平辊，防止产生卷绕故障。蒸镀窗口、导辊盖板、挡板能够最大限度的保持蒸镀过程的清洁。放卷、导辊、收卷和坩埚表面出设有观察窗，能够观察卷绕与蒸镀过程。真空泵组的自动预热与冷却。当电弧放电时，能够自动关闭电子枪的高压电源。3.1 蒸镀工艺的功能原则TopBeam用于在带状基材上沉积固体蒸镀材料（例如氧化硅）的卷绕蒸镀系统。带状基材称为膜卷。基材通过卷绕系统从膜卷中放卷放出，经过处理，之后收卷。“基材”或简称“膜”。在蒸镀工艺之前，基材以卷绕的方式安装在蒸镀系统中。膜卷经过连续的方式进行处理。鉴于此，膜卷经过导辊系统放卷、处理，之后收卷。在本操作说明中，这种工艺顺序称为“处理”。为了达到此目的最为相关的技术为热蒸发，该技术将在章节3.2.1中进行简要描述。作为一种选择，另外一层镀层可以通过将另外一种材料溅射到膜卷上获得。（见章节3.2.2）首先可以对膜卷进行预处理（见3.2.3）。预处理使用阴极设备，该阴极设备的功率远小于磁控溅射的功率。最后，进行后处理（见3.2.4）。后处理同样也是使用低功率阴极。整套工序在高真空条件下进行。因此，所需设备置于一个大型二体真空舱室内。在工艺处理开始前，真空舱室被抽真空。真空条件是成功工艺处理的化学与物理先决条件。例如，真空降低了熔化温度，并且阻止了蒸发材料与真空室外界空气进行反应。3.2.1 热蒸发沉积在系统中，基材通过“高真空热蒸发”技术沉积镀层。蒸发材料（例如铝）在真空蒸镀舱被蒸发（或者升华，取决于材料温度）（“蒸发/升华阶段”）。蒸发颗粒在已抽真空的蒸镀舱室内移动（“输运阶段”）。部分蒸发镀层材料在蒸镀舱室内较冷的表面（例如冷却主鼓上的基材）凝结（或凝华，取决于材料性质）。（凝结/凝华阶段（镀层生长））图3-1 沉积过程示意图（电加热示例）蒸发/升华阶段蒸发材料能够装入系统中，通过多种方式进行加热。蒸发速率（单位时间单位面积的蒸发质量）取决于待蒸发材料总量与材料加热到的温度。最常见的蒸发方式有：蒸发材料连续供给到电流加热的电阻加热蒸发舟中，或者在真空舱的坩埚中加入整个工艺循环所需要的全部蒸发材料。根据系统设备的情况，可以使用两种加热方式：材料被电阻加热或者材料被电子枪产生的电子轰击、加热。输运阶段被蒸发的材料形成棒状的蒸发云。输运阶段描述了蒸发颗粒从坩埚中蒸发点至基材凝结点的过程与路径。理想的输运条件为：蒸发颗粒的路径尽可能短。真空舱室无残留气体（真空范围10-5至10-3mbar），以便尽量减少碰撞和有害的反应。凝结/凝华阶段（层结构）蒸发颗粒在基材上的凝结过程十分复杂，受到如下条件影响：碰撞速率和凝结颗粒的能量。基材的情况（表面性质，材料类型，温度）3.2.2 溅射沉积（可选项）除了通过热蒸发方式在基材上沉积材料（见3.2.1），还可以通过溅射另一种材料的方式沉积另外一层镀层。所需的溅射设备安装在沉积鼓上（见图3-2）。图3-2 膜卷的溅射过程沉积材料在“靶材”中，靶材构成了溅射设备中的溅射阴极。在工艺过程中，溅射设备中产生等离子体。等离子体中的离子被加速，撞击靶材，并且从靶材表面撞击出原子。被撞击出的原子沉积在基材上。3.2.2.1中的图示说明了该原理。图示显示了惰性气体的溅射过程，靶材材料没有发生化学变化。除了惰性气体，其他气体可以用于反应溅射。靶材原子与工艺气体反应，基材表面沉积了反应产物（例如当使用氧气和金属靶时，形成金属氧化物）。溅射过程将使阴极温度升高，必须对基材进行冷却。沉积鼓将冷却基材。参见3.5获得更多溅射设备的细节。3.2.2.1 溅射沉积的原理1 –墙式溅射设备2 –沉积鼓3 –基材4 –溅射阴极4A –靶材5 –阳极-工艺气体原子电极无电压–电压 - 电场线–阳离子–电子在阴极（靶材）与阳极之间施加电压，产生电场，电离工艺气体，形成等离子体。–靶材原子等离子体中的阳离子加速撞击靶材，撞击出原子。之后，越来越多的原子被撞击出靶材，输运至基材。具有适当能量的原子在基材表面沉积，形成镀层。- - 基材移动方向（=鼓移动方向）3-3 溅射沉积的原理3.