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从内存条芯片编号看内存条的大小 (2009-11-22 08:12:39) 转载▼ 标签： tsop封装 字段 ddr266 台湾 it SDRAM 内存芯片的新编号 　 HY XX X XX XX X X XX X X X - XX X A B C D E F G H I J K ? L M A字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。B字段表示产品类型。57代表SDRAM内存。C字段表示工作电压。V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为3.3V；Y代表VDD电压为3.0V、VDDQ电压为3.0v；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；W代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V/D字段表示密度与刷新速度。16代表16Mbit密度、2K刷新速度；32代表32Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、4K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度；2A代表128Mbit密度(TCSR)、4K刷新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、8K刷新速度。E字段表示内存结构。4代表x4；8代表x8；16代表x16 ;32代表x32。F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表2Bank；2代表4Bank。G字段表