实验十八半导体薄膜的电学性质测试曾广根.ppt

实验 十八半导体薄膜的电学性质测试曾广根 本实验安全须知：1、开机械泵之前必须先开冷却水。2、装样品时、必须关闭加热电源。3、测试时，密切关注实验动态，有异常情况务必第一时间  告之 带实验老师。4、结束实验时，务必保证冷却水最后关闭。5、进入实验室，请遵守实验室规章制度，一切行动听  指挥，有组织、有纪律、有秩序、安全的进行实验。 实验目的 1、掌握测量薄膜电导率的方法； 2、使用四探针法测量化合物半导体薄膜的方块电阻， 计算体电阻率； 3、测量化合物半导体薄膜的温度-电导率曲线，计算电导激活能。 实验仪器 精密变阻箱，卤钨灯、电压表、四探针台、温控仪等 实验原理及方法 1、半导体的电导率 在室温以上的温区，半导体薄膜的电导率如下公式所示： δn= δ0exp[-Ea/KT] δP= δ0exp[-Ea/KT] 其中， δ为电导率；Ea为电导激活能；K为玻尔兹曼常数；T为热力学温度 实验原理及方法 2、半导体材料的电导率测试 测量半导体材料电导率的方法有两探针、共线四探针、方形四探针测量法等，对于任意形状的薄片材料，利用Van der Pauw方法测量。 右图是常用的共线四探针测试方法 当探针之间间距远大于样品厚度时 1,4探针是电流输入输出； 2,3探针是测量电位差 实验原理及方法 2、半导体材料的电导率测试 测量小面积样品的电阻率，使用方形四探针，可获得更高准确度 实验原理及方法 两探针测量方法 实验中常用如右图所示的简图进行测量；测量前使用真空蒸发技术在样品上沉积金属电极，如右下图所示。 将公式δn= δ0exp[-Ea/KT] 取对数，得到 ln δ=lnδ0 -（ Ea/1000K）*1000/T 测量不同温度对应的电阻，计算出电导率，做出ln δ~1000/T曲线，由斜率可得到电导激活能Ea 实验步骤 1、连接好四探针台，测量半导体薄膜的方块电阻，进而计算出体电阻 2、按照测试简图所示连接好线路，检查各点是否导通 3、在测量室装好半导体薄膜样品，开冷却水，抽真空，加热，测量不 同温度下样品的电阻，测量温区从室温到150℃； 4、测出样品尺寸，由所测电阻计算电导率，计算出样品的电导激活能 实验报告要求 1、简述测量薄膜样品方块电阻、体电阻率、电导激活能的原理方法 2、分析二探针、四探针及电极尺寸、电极位置、电极形状对测量的影响 3、用测量所得数据，计算方块电阻、体电阻率， 画出相应曲线，计算出 电导激活能 思考题 1.四探针测量薄膜样品电阻率及方块电阻时，存在哪些误差？如何消除？ 2.单晶、多晶半导体薄膜其电导激活能与薄膜费米能级的对应关系有何不同，为什么？ 3、在实验中，采用暗态真空环境测试，为什么？ The X’Celerator effectively replaces the detection system of the traditional diffractometer by more than one hundred thin parallel strips. Just like the traditional geometry; the X-ray source and detector are scanned simultaneously. During the scan, one particular reflection is followed for a longer time. This can be demonstrated by advancing to the next slide…. The X’Celerator effectively replaces the detection system