可再生能源概论第2版教学课件作者左然第四章太阳电池课件.ppt

按材料形态不同分为： 块体电池； 薄膜电池。 按P-N结的特点分为 ： 同质结(homojunction)电池：由同一种半导体材料构成一个或多个P-N结的太阳电池 异质结(heterojunction)电池：由2种不同半导体材料在相界面上构成异质结太阳电池 肖特基结太阳电池：由金属和半导体接触形成肖特基势垒的电池，简称MS电池。 复合结太阳电池：由2个或多个结形成的太阳电池。 按聚光与否分为： 平板太阳电池，即非聚光电池。指在1倍阳光下工作的太阳电池，也是目前应用最广的形态。 聚光太阳电池，指在大于1倍阳光下工作的太阳电池。1～10倍为低倍聚光，10～100倍为中倍聚光，大于100倍的为高倍聚光。 不论以何种材料来制作太阳电池，对电池材料的一般要求有： 原料来源丰富，生产成本不能过高； 要有较高的光电转换效率，这是太阳电池最关键的技术指标。 材料本身对环境不造成污染； 材料便于工业化生产且性能稳定。 太阳电池模块的标准测试条件 在国际上对太阳电池和模块的测试有一套标准测试条件。此条件的要素是： 太阳电池或模块应置于25℃的温度下，入射到电池上的太阳辐射总功率密度为1000W/m2，而光谱能量分布为大气质量AM1.5时的分布。 当太阳位于与天顶角成θ的位置（由观察者在海平面所看到），大气质量定义为此时阳光所走距离与太阳在天顶时阳光所走距离的比值。通过简单的几何计算，可得到下面的定义： 4.7 单晶硅电池的基本结构和制备工艺 单晶硅太阳电池的基本结构包括：单结的P-N结、指形电极、减反射膜和完全用金属覆盖的背电极。 典型的N在P上的电池是由厚度约0.3mm的硅片制做，它的底层或称基体为P型半导体，不受光照，有一薄金属涂层与P型基体接触。 P-N结的N型顶层，为了使电阻率低，采用重掺杂，用N+表示。约0.1mm宽、0.05mm厚的金属指形电极与顶层做成欧姆接触用来收集电流。 N层的顶部镀了一层透明的、约0.06μm厚的减反射膜，它比裸硅有更好的光传输性能，能最大限度地减少光反射。 晶体硅太阳电池制造的主要工艺流程－从海边的沙子（石英砂）到太阳电池 →晶体硅提炼（冶炼） →硅片制备（铸造） →化学处理表面织构化 →扩散制P-N结 →沉积减反射膜和钝化膜 →电极印刷及烧结 →电池封装。 4.8 太阳电池制备—从石英砂到单晶硅片 右图示出了从石英砂到半导体级单晶硅制程的主要反应步骤。 从最原始的材料—纯度为1～10%的沙子开始，到纯度为10亿分之一杂质含量的半导体级单晶硅，其间经历了一系列的物理和化学过程，而且是高耗能高污染的过程。 从石英砂到单晶硅的主要制造步骤 在这一阶段制程的主要步骤如下： （1） 将一种含二氧化硅(SiO2)纯度较高(10%)的石英砂和焦炭等含碳材料混合，在高温电弧炉中将二氧化硅还原，生成相对纯的熔融硅。 （2）冶金级的块体硅被捣碎成粉末，和HCl气体发生反应，形成三氯硅烷 (SiHCl3) 气体。 （3）半导体级（SeG）三氯硅烷在放有石英或硅基片的反应室中加热至1000℃，与氢气反应，在基片上沉积所谓半导体级（SeG）的多晶硅： （4）在获得半导体级的多晶硅后，还要通过凝固的工艺方法形成单晶以及更纯的硅。常用的半导体单晶凝固工艺有以下三种： 一、正常凝固法，又叫布里奇曼（Bridgeman）法； 二、提拉法，又叫丘克拉斯基（CZ）法； 三、区域熔解（FZ）法。三种方法的原理示于下图中。 （5） 最后，用金刚石锯或线切割将圆柱状单晶硅锭切成约250μm厚的晶圆片（wafer），并进行化学和机械抛光。在锯片工艺中约有1/3的单晶变成了碎屑。 4.9 太阳电池制备—从硅片到太阳电池 硅片的清洗：一般采用氢氧化钠(NaOH) 或氢氧化钾(KOH)溶液来清洗硅片。 表面绒面处理 ：芯片清洗后，其表面要做表面绒面（织构化）处理，目的是为了在硅表面造成多次反射（吸收），从而有效地降低硅表面的反射。 理想的绒面为倒金字塔形。研究表明尖角为３５° 的Ｖ形槽反射率最低。常用绒面制备方法为化学腐蚀法。 。 通常使用方向性蚀刻来完成。使用NaOH 加IPA（异丙醇）的溶液，就会对硅晶片(100)表面产生方向性蚀刻，暴露出单晶111方向的截面，产生大小不一的金字塔形状的表面。 扩散制P-N结。接下来则是使用扩散法，在硅芯片上形成P-N结二极管。通常使用P型硅芯片作为基底，所以要做N型磷扩散。一般是使用三氯氧磷（POCl3）气体，加上氧气与氮气，在高温扩散炉进行扩散。其化学反应式可表为 理想的P-N结的结构 硅晶体表面会和空气中的氧气或水气作用，尤其是加热造成的热氧化，表面都会形成二氧化硅。经过磷高温扩散后，一般的工艺，都使用氢氟酸来除去硅晶体表面