微机原理与接口技术作者于天河高爽第5章存储器系统课案.pptVIP

DRAM 2164的数据写入时序图 DRAM芯片的刷新时序图 刷新: 将存放于每位中的信息读出再照原样写入原单元的过程 DRAM在系统中的连接 5.3 只读存储器（ROM） 掩模ROM 一次性可写ROM 可读写ROM 分 类 EPROM（紫外线擦除） EEPROM（电擦除） 一. EPROM 特点： 可多次编程写入 掉电后内容不丢失 内容的擦除需用紫外线擦除器 EPROM 2764 8K×8bit芯片 引脚与SRAM 6264完全兼容 地址信号：A0 ~ A12 数据信号：D0 ~ D7 输出允许信号：OE 片选信号：CE 编程脉冲输入：PGM 2764的工作过程 1.数据读出 每出现一个编程负脉冲就写入一个字节数据 擦除后的芯片每个单元: FFH 有错则全部擦掉重写 3.擦除 标准编程方式：50±5ms的负脉冲 快速编程方式：脉冲窄，如100μs 2.编程写入 2.编程写入 —— 在PGM端加上负脉冲 二. EEPROM EEPROM是20世纪80年代初推出的新产品，基本存储单元的结构示意图如图4.16所示。当浮栅上不带电荷时，图中MOS管的源极、漏极之间不导电；当浮栅上带电荷时，MOS管的源极、漏极之间便导通。EEPROM基本存储电路中，在漏极上边增加了一个隧道二极管。在UG电压(第二栅极与漏极间电压)作用下，通过该隧道二极管可使电荷从漏极流向浮栅，即实现对EEPROM的