负光阻.ppt

實驗步驟 Van Der Pauw量測： 使用銀膠bond線 量測四種不同電流電壓值(含加磁場與未加磁場)。 實驗說明 說明本實驗所產生的廢液傾倒在何種回收筒？ 氫氟酸 (HF) 含有劇毒，需傾倒於專屬的廢液回收筒。 甲醇與丙酮等有機溶液，需傾倒於有機廢液回收筒。 半導體專題實驗 實驗三 熱蒸鍍系統 金屬鍍膜 (Metal Deposition) 又稱物理鍍膜(Physical Vapor Deposition；PVD) 需在真空下進行 可分為蒸鍍(evaporation)與濺鍍 (sputtering)兩種 蒸鍍環境：10-6~10-7 Torr 真空環境 一般的機械式抽氣幫浦，只能抽到10-3 Torr 的真空度，之後須再串接高真空幫浦，才能 達到10-6~10-7 Torr的真空程度 擴散式幫浦 (diffusion pump) 渦輪式幫浦 (turbo pump) 致冷式幫浦 (cryogenic pump) 蒸鍍 根據加熱方式差異，可分為電阻式(thermal coater)與電子槍式(E-gun evaporator)兩類 電阻式： 將準備熔融蒸發的金屬以線材方式掛在加熱鎢絲上，受熱熔融後，因液體表面張力故，會攀附在加熱鎢絲上，然後徐徐附著至四周(包含晶圓)。因加熱鎢絲耐熱能力與供金屬熔液攀附空間有限，僅用於低熔點的金屬蒸鍍，如鋁，且蒸鍍厚度有限。 電阻式蒸鍍 蒸鍍 電子槍式： 利用電子束進行加熱，熔融蒸發的金屬顆粒全擺在石墨或鎢質坩堝(crucible)中。待金屬蒸氣壓超過臨界限度，開始徐徐附著至四周(包含晶圓)。 電子槍式蒸鍍機可蒸鍍熔點較高的金屬，厚度也比較不受限制。此系統主要的優勢是可以避免Na+離子汙染晶片，同時可以改善Step Coverage。 電子槍式蒸鍍 Step Coverage 在起伏較劇烈的表面，蒸鍍之金屬斷裂不連續。另外，多片晶圓的大面積蒸鍍也存在厚度均勻的問題。為此，晶片承載臺加上公轉自轉的機制，便用於上述兩問題之改善。 熱蒸鍍系統 應用於低溫金屬，以及鍍碳鍍金等導電用薄膜 製作低溫金屬如銦、錫等時，可以利用蒸鍍的方式得到μm級的膜，快速且平整性及均勻性好。 利用加熱的方式使碳棒放出細微碳分子在試片表面導電用，鍍金亦同。 優點是操作方便，真空潔淨度佳，快速且厚度可大可小。 1. 熱機 打開冷卻水開關 打開牆壁上的主電源 三向閥指向close 1. 熱機 (continue) RP Leak為off 打開Mechanical Pump RP電源 並等待30秒 確定Main Value為off 將三向閥轉向Force Way 打開Diffusion Pump電源 熱機30~40分鐘 熱機期間繼續 loading 粗抽 1. 熱機 (continue) 2. Loading 確定Main Value為off 關真空計 開Air leak value 待氣體完全進入chamber後 關閉Air leak V 抬起Chamber玻璃罩 將晶片、鎢舟及待鍍金屬置入 檢查測厚儀(crystal)是否正常 2. Loading (continue) 用無塵紙擦拭Chamber觀景窗及O-ring 先用丙酮 再用甲醇 擦拭完後再放回Chamber 2. Loading (continue) 3. 粗抽 確認關閉 Air leak V. Main V. 三向閥 轉向Rough way 讓RP抽Chamber內的空氣 三分鐘後 開Chamber真空計 直到Chamber氣壓降到1Pa之下 101.325 kPa = 1 atm = 760 torr 三向閥轉回Force Way 讓RP抽DP內的空氣 熱機時間30~40分鐘 3. 粗抽 (continue) 4. 細抽 打開Main V到稍緊、切勿用力轉 20分鐘後 打開 ion gauge 觀察壓力 4. 細抽 (continue) 壓力到5*10^-3 Pa時，加入液態氮 Chamber氣壓降到5*10-4Pa以下 關ion gauge 開始蒸鍍 4. 細抽 (continue) 5. 蒸鍍 打開測厚儀 按1號鍵(蒸鍍速度)歸零 按2號鍵(鍍膜厚度)歸零 加電流，開始蒸鍍 打開shutter 蒸鍍至所需厚度 關電流及測厚儀 關Main V和DP電源 6. 取物 蒸鍍完成後 等待10~20分鐘 開Air leak V. 待氣體完全進入Chamber後 關閉Air leak V. 循置物步驟取出晶片及鎢舟 用無塵紙擦拭Chamber觀景窗及O-ring部份 關上Chamber 7. 關機 確定已關閉 Main V. Air leak V. 三向閥轉至Rough Way