数字电子技术基础赵莹CH3ch32课件教学.pptVIP

PPT研究院 POWERPOINT ACADEMY * * 集成逻辑门电路 在线教务辅导网： 更多课程配套课件资源请访问在线教务辅导网 3.2. 1 二极管开关特性 3.2基本逻辑门 二极管和三极管是数字集成逻辑门电路的主要器件，它们都工作在开关状态。 二极管相当于开关S 当ui=UOH=UCC时，二极管导通，输出为低电平 uO=UOL≈0V 1、静态开关特性 2、动态特性 1. 二极管的电容效应 结电容 C j 扩散电容 C D 2. 二极管的开关时间 电容效应使二极管的通断需要一段延迟时间才能完成 当输入信号ui=UOL=0V时，二极管截止，输出为 高电平uO=UOH=UCC。 通常把反向电流从峰值衰减到它的0.1倍所需要的时间定义为反向恢复时间tre（一般为几纳秒）。 3.2.2. 三极管的开关特性 发射结反偏 T 截止 + ? Rc Rb +VCC (12V) + uo ? iB iC T uI 3V -2V 2 k? 2.3 k? 1、静态开关特性 （1）ui≤0时，uBE≤0， uO=UOH=UCC 集电极和发射极之间如同断开一样 T 饱和,集电极和发射极之间的饱和压降UCE(sat)≈0V，如同开关闭合一样, uO=UOL≈0。 只要参数安排合适，可使 （IBS为三极管临界饱和基极电流） 二、动态特性 3 -2 t 0 0.9ICS 0.1ICS t 0 3 0.3 t 0 在动态情况下，即三极管在截止与饱和导通两种状态间迅速转换时，由于三极管内部电荷的建立和消散都需要一定的时间，所以集电极电流的变化滞后于输入电压ui的变化，当然输出电压uO也滞后于输入电压ui的变化 3.2.3 MOS管的开关作用： (1) N 沟道增强型 MOS 管 +VDD +10V RD 20 k? B G D S uI uO +VDD +10V RD 20 k? G D S uI uO 开启电压 UTN = 2 V iD +VDD +10V RD 20 k? G D S uI uO RON RD (2) P 沟道增强型 MOS 管 -VDD -10V RD 20 k? B G D S uI uO -VDD -10V RD 20 k? G D S uI uO -VDD -10V RD 20 k? G D S uI uO 开启电压 UTP = - 2 V iD 二、动态特性 1. MOS 管极间电容 栅源电容 C GS 栅漏电容 C GD 在数字电路中，这些电容的充、放电过程会制约 MOS 管的动态特性，即开关速度。 漏源电容 C DS 1 ~ 3 pF 0.1 ~ 1 pF VDD t 0 0.9ID 0.1ID t 0 VDD t 0 2. 开关时间 开通时间 关断时间 3.2. 4 分立元器件门电路 1 、 与逻辑和与门电路 二极管与门电路 符号: 与门（AND gate) A B Y A B Y 0 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 1 真值表 表达式： 与门波形图 二极管或门 符号: 或门（OR gate) A B Y ≥1 2、或逻辑和或门电路 A B Y 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 1 真值表 Y＝A＋B 表达式： 或门波形图 电压关系表 uI/V uO/V 0 5 5 0.3 真值表 0 1 1 0 A Y 符号 函数式 三极管非门: A Y 1 3、非逻辑和非门电路 非门波形图 馋死 * * 集成逻辑门电路 * *