半导体物理学(第七版)PPT 2016-6概要.ppt

PN结二极管的等效电路 小信号加到PN结上 ~ + - va VA + - P N Rs G C 反向偏置结电容 也称势垒电容或过渡区电容 PN结的形成 PN结中的能带 PN 内建电势 内建电势 PN结的内建电势决定于掺杂浓度ND、NA、材料禁带宽度以及工作温度 能带 内建电势 电场 VA?0条件下的突变结 外加电压全部降落在耗尽区，VA大于0时，使耗尽区势垒下降，反之上升。即耗尽区两侧电压为Vbi-VA 反偏PN结 反偏电压能改变耗尽区宽度吗？ 准费米能级 理想二极管方程 PN结正偏时 理想二极管方程 PN结反偏时 定量方程 基本假设 P型区及N型区掺杂均匀分布，是突变结。 电中性区宽度远大于扩散长度。 冶金结为面积足够大的平面，不考虑边缘效应，载流子在PN结中一维流动。 空间电荷区宽度远小于少子扩散长度, 不考虑空间电荷区的产生—复合作用。 P型区和N型区的电阻率都足够低，外加电压全部降落在过渡区上。 准中性区的载流子运动情况 稳态时, 假设GL=0 边界条件: 图6.4 欧姆接触边界 耗尽层边界 边界条件 欧姆接触边界 耗尽层边界(pn结定律) 耗尽层边界 P型一侧 P N 耗尽层边界(续) N型一侧 耗尽层边界处非平衡载流子浓度与 外加电压有关 准中性区载流子浓度 理想二极管方程 求解过程 准中性区少子扩散方程 求Jp(xn) 求Jn(-xp) J= Jp(xn)+ Jn(-xp) 理想二极管方程(1) 新的坐标: 边界条件: -xp xn 0 x X’ 空穴电流 一般解 电子电流 P型侧 PN结电流 PN结电流与温度的关系 与理想情况的偏差 大注入效应 空间电荷区的复合 空间电荷区的产生与复合 正向有复合电流 反向有产生电流 空间电荷区的产生与复合-1 反向偏置时, 正向偏置时, 计算比较复杂 VA愈低，IR-G愈是起支配作用 VA?Vbi时的大电流现象 串联电阻效应 q/kT Log(I) VA VA?Vbi时的大电流现象-1 大注入效应 大注入是指正偏工作时注入载流子密度等于或高于平衡态多子密度的工作状态。pn≥nno VA?Vbi时的大电流现象-2 VA?Vbi时的大电流现象-3 VA越大, 电流上升变缓 反向击穿 电流急剧增加 可逆 雪崩倍增 齐纳过程 不可逆 热击穿 雪崩倍增 齐纳过程 产生了隧穿效应 E 隧道穿透几率P： 隧道长度: 隧道击穿: VB4Eg/q 雪崩击穿：VB6Eg/q 练习 一、判断 1、在半导体中，原子最外层电子的共有化运动最显著。 （ ） 2、不同的k值可标志自由电子的不同状态，但它不可标志晶体中电子的共有化状态。 （ ） 3、空位表现为施主作用，间隙原子表现为受主作用。 （ ） 4、半导体中两种载流子数目相同的为高纯半导体。 （ ） 练习 二、填空 1、半导体材料结构可分为（ ）、（ ）、（ ），应用最为广泛的是（ ）。 2、金刚石型单胞的基础结构为（ ），金刚石型为（ ）对称性，闪锌矿型结构为（ ）对称性，纤锌矿型为（ ）对称性。 3、导带和价带间间隙称为（ ），Si的禁带宽度为（ ），Ge为（ ），GaAs为（ ）。 4、固体按其导电性可分为（ ）、（ ）、（ ）。 练习 5、杂质总共可分为两大类（ ）和（ ），施主杂质为（ ），受主杂质为（ ）。 6、施主杂质向（ ）带提供（ ）成为（ ）电中心；受主杂质向（ ）带提供（ ）成为（ ）电中心。 7 、热平衡时，能级E处的空穴浓度为（ ）。 8 、在半导体中，载流子的三种输运方式为（ ）、 （ ）和（ ）。 练习 三、简答 1、单胞的概念及两大注意点？ 2、三种立方单胞的名称？ 3、引入有效质量的原因及意义？ 4、 的物理含义？ 5、费米分布函数与玻耳兹曼分布函数的最大区别？ 6、在外加电场E作用下，为什么半导体内载流子的漂移电流恒定，试从载流子的运动角度说明。 7、在室温下，热平衡时，S