《模拟电子技术基础》复习资料201512讲述.doc

《模拟电子技术》复习题 填空题 半导体不同于导体和绝缘体的三大独特性质为 、 、 ；其电阻率分别受 、 、 的增加而 。 用于制造半导体器件的材料通常是 、 和砷化镓。 当外界温度、光照等变化时，半导体材料的 能力会发生很大的变化。 纯净的、不含杂质的半导体，称为 。 在N型半导体中如果掺入足够量的价元素，可将其改型为P型半导体。P型半导体。 杂质半导体分 和 两大类。 N型半导体多数载流子是 ，少数载流子是 。P型半导体多数载流子是 ，少数载流子是 。 杂质半导体中，多数载流子浓度主要取决于 ，而少数载流子则与(( (((有很大关系。 PN结的主要特性是 。 PN结是多数载流子的 运动和少数载流子的 运动处于动态平衡而形成的，有时又把它称为 或 。 PN结加正向电压时，空间电荷区变 ；PN结加反向电压时，空间电荷区变 。 PN结在无光照、无外加电压时，结电流为。PN结PN结PN结UZ时，它才能产生稳压作用。 双极型三极管有 种极性的载流子参与导电；场效应管有 种极性的载流子参与导电。 三极管个电极电流的分配关系是IE= 。 三极管有( (型和(( ((型，前者在电路中使用的符号是((((((，后者在电路中使用的符号是((((((((。 晶体三极管能起电流放大作用的内部条件是：发射区需 掺杂，基区宽度要 ；外部条件是：发射结要 偏置，集电结要 偏置。 处于放大状态的三极管IC与IB的关系是( (；处于饱和状态的三极管IC不受IB的控制， (了放大作用；处在截止状态的三极管IC( ((。 当NPN锗管工作在放大区时，在E、B、C三个电极中，以 电位最高，( (的电位最低；UBEQ约等于 。 当PNP型硅三极管处于放大状态时，在E、B、C三个电极中，以( (极电位最高，( (极的电位最低。 三极管的反向饱和电流ICBO随温度的升高而( ((，穿透电流ICEO随温度升高而(( ((，UBE随温度的升高而(( ((，(值随温度的升高而( (((。 三极管的三个主要极限参数是(( ((、(((( (((和( ((((。 三极管有三个电极，分别是 、 和 。 用直流电压表测得某放大器中NPN型三极管的三个极对地的电位分别为VB=+10.7V, VC=+10.3V, VE=+10V，则该管工作在( (区。 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为VA=+3.1V, VB=+2.9V, VC=-2V，则从材料看为 管，从结构上看为 型管，且A为((( 极，B为 极，C为 极。 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为VA=+7V, VB=+1.8V, VC=+6.3V，则从材料看为 管，从结构上看为((( 型管，且A为 ((( 极，B为 极，C为 极。 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为VA=+7V, VB=+1.8V, VC=+2.5V，则从材料看为 管，从结构上看为 ((( 型管，且A为 ((( 极，B为 ((( 极，C为 ((( 极。 在放大状态下，三极管的1，2，3三个电极的电流分别为I1=1.5mA，I2=30(A，I3=1.53mA，则电极 为集电极，电极 ( 为基极，电极 (( 为发射极。(= (( ，(= ((( 。 从输出特性上分析单级PNP管组成的放大电路，如果静态工作点在负载线上设置偏高，有可能导致(((((( 失真，从示波器上看输出电压波形是((( 失真；工作点设置偏低，则有可能导致((( 失真。 交流放大电路放大的主要对象是电压、电流的((( 量，而放大电路设置静态工作点