《太阳能电池用硅片外观缺陷测试方法》编制说明.doc.docVIP

《太阳能电池用硅片外观缺陷测试方法》编制说明 一 工作简况 1 任务来源 根据工业和信息化部二O一二年三月二十六日的《关于印发2012年第一批行业标准制修订计划的通知》, 由全国半导体材料和设备标准化技术委员会材料分技术委员会负责计划编号为2012-0501T-SJ的行业标准《太阳能电池用硅片外观缺陷测试方法》的制定工作。 2 主要工作过程 调查硅片外观缺陷对电池片生产的影响。 调查目前太阳能电池行业用于检测硅片外观缺陷的设备、测试原理。 就硅片外观缺陷检测设备所受到的干扰因素进行分析。 准备测试样品进行巡回测试。 本标准于2011年下半年由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会编制小组 2012年6月在上海召开的国家标准讨论会，与会的41位专家、代表对本标准的草稿给予了很多建议与意见。本标准编制小组根据此次会议专家们的建议和意见，对标准草稿进行了大幅修改，形成了预审稿，提交至2012年10月岳阳标准会议审议讨论。 3 本标准主要起草人 董磊 工程师 贺东江 教授级高工 李锐 工程师 黄黎 总经理 4 本标准的意义 硅片作为硅晶太阳能电池的基础材料，硅片外观缺陷和表面质量对太阳能电池的效率和外观都具有很重要的影响。有些外观缺陷的硅片在后续的工序中会出现裂纹、碎片等现象，从而影响太阳能电池制造商的生产效率，而且造成了一定的资源浪费。 随着太阳能行业的快速发展，竞争日趋激