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PECVDPlasma Enhanced Chemical Vapor Deposition等离子体增强化学气相沉积 化学气相沉积是通过化学反应方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。 简单来说就是：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内,然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到基片表面上。 CVD 定义 常压化学气相沉积（atmospheric pressure chemical vapor deposition，APCVD） 低压化学气相沉积（low pressure chemical vapor deposition， LPCVD） 等离子体增强化学气相沉积（plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD） 有机金属化学气相沉积（metal organic chemical vapor deposition，MOCVD） 激光化学气相沉积（laser chemical vapor deposition，LCVD） CVD 分类 PECVD ：是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。 等离子体：气体在一定条件下受到高能激发