模拟电路张丽华第1章ch01-5课件教学.pptVIP

1.5 场效应晶体管 1.5.1 绝缘栅场效应管　　 1.5.2 结型场效应管　　 1.5.3 场效应管的主要参数　　 1.5.4 场效应管与晶体管的比较 1.5 场效应晶体管 场效应晶体管（Field Effect Transistor），缩写为FET，简称场效应管。是一种用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的半导体器件，属于电压控制电流源器件，用VCCS表示。它工作时只有一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。 其主要特点是输入电阻高（达107～1015Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、受温度和辐射影响小，故特别适用于高灵敏、低噪声电路，如各种仪器或电子产品的前置放大电路。 我们把vGS=0时iD随vDS的变化规律用曲线表示如图1-49所示。 综上分析可知： （1）沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管。 （2）JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此iG=0，输入电阻很高。 （3）JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制。 （4）预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和，基本不随vDS变化。 （3）特性曲线与电流方程 图1-55（a）和（b）分别为N沟道增强型MOS管的输出特性曲线和转移特性曲线。与结型场效应管一样，输出特性曲线也分为四个区域，即可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区。 1.5.3 场效应三极管的参数和型号 1．场效应三极管的参数 2．场效应三极管的型号命名 1.5.4 双极型晶体管和场效应晶体管的比较 场效应三极管的型号，现行有两种命名方法。 其一是与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如，CS14A、CS45G等。 （1）场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。 （2）场效应管是电压控制电流器件，由uGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。 （3）场效应管栅极几乎不取电流；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。 （4）场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，因少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。 （5）场效应管在源极未与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管在制造时，由于发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大，基区掺杂浓度低并要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米，所以发射极和集电极是不能互换的。 （6）场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。 （7）场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少， 馋死 第1章 常用半导体器件 在线教务辅导网： 更多课程配套课件资源请访问在线教务辅导网 P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 场效应管的分类： 1.5.1 结型场效应管 1.结构 N沟道 JFET 管外部工作条件 uDS 0 (保证栅漏 PN 结反偏) uGS 0 (保证栅源 PN 结反偏) 2　工作原理 P + P + N g s d + UGS UDS + - uGS 对沟道宽度的影响 | uGS | ? 阻挡层宽度? 若 | uGS | 继续? 沟道全夹断 使 uGS = uGS (off) 夹断电压 若 uDS = 0 N g s d + uGS P + P + N 型沟道宽度? 沟道电阻 Ron? uDS 很小时 → uGD ? uGS 由图 uGD = uGS - uDS 因此 uDS?→ID 线性 ? 若 uDS ?→则 uGD ?→ 近漏端沟道? → Ron 增大。 此时 Ron ?→ID